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AS4C256M8D3-12BCNTR

AS4C256M8D3-12BCNTR

僅供參考

型號 AS4C256M8D3-12BCNTR
PNEDA編號 AS4C256M8D3-12BCNTR
描述 IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 3,114
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 31 - 六月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C256M8D3-12BCNTR資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C256M8D3-12BCNTR
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C256M8D3-12BCNTR, AS4C256M8D3-12BCNTR數據表 (總頁數: 82, 大小: 2,101.53 KB)
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AS4C256M8D3-12BCNTR規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小2Gb (256M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間20ns
電壓-供電1.425V ~ 1.575V
工作溫度0°C ~ 90°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-TFBGA
供應商設備包裝78-FBGA (8x10.5)

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Micron Technology Inc.

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

80MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

16-SOIC

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Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

-

內存格式

-

技術

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內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

MT48H16M32L2B5-10 IT TR

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPSDR

內存大小

512Mb (16M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

90-VFBGA

供應商設備包裝

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