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APTC80DSK29T3G

APTC80DSK29T3G

僅供參考

型號 APTC80DSK29T3G
PNEDA編號 APTC80DSK29T3G
描述 MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,336
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 19 - 五月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTC80DSK29T3G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTC80DSK29T3G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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APTC80DSK29T3G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15A
Rds On(Max)@ Id,Vgs290mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.9V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs90nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2254pF @ 25V
功率-最大156W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP3
供應商設備包裝SP3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

250pF @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

46mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.3nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

670pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A, 7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

888pF @ 15V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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