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APTC80A15T1G

APTC80A15T1G

僅供參考

型號 APTC80A15T1G
PNEDA編號 APTC80A15T1G
描述 MOSFET 2N-CH 800V 28A SP1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,042
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 29 - 五月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTC80A15T1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTC80A15T1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
APTC80A15T1G, APTC80A15T1G數據表 (總頁數: 6, 大小: 320.62 KB)
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APTC80A15T1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)28A
Rds On(Max)@ Id,Vgs150mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.9V @ 2mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs180nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4507pF @ 25V
功率-最大277W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP1
供應商設備包裝SP1

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

300A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 68mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

35000pF @ 10V

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.95mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

0.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 5V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

250mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.2Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12pF @ 10V

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-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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