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APT50GS60BRDLG

APT50GS60BRDLG

僅供參考

型號 APT50GS60BRDLG
PNEDA編號 APT50GS60BRDLG
描述 IGBT 600V 93A 415W TO247
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,352
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 21 - 五月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT50GS60BRDLG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT50GS60BRDLG
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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APT50GS60BRDLG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)93A
電流-集電極脈沖(Icm)195A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.15V @ 15V, 50A
功率-最大415W
開關能量755µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用235nC
25°C時的Td(開/關)16ns/225ns
測試條件400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

3.5A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 1A

功率-最大

28W

開關能量

140µJ

輸入類型

Standard

門禁費用

8.6nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

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650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

300A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 75A

功率-最大

455W

開關能量

2.5mJ (on), 2.2mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

210nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/200ns

測試條件

400V, 75A, 10Ohm, 15V

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Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

11A

電流-集電極脈沖(Icm)

22A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 4A

功率-最大

63W

開關能量

73µJ (on), 47µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

12nC

25°C時的Td(開/關)

22ns/100ns

測試條件

400V, 4A, 100Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

93ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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650V

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電流-集電極脈沖(Icm)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 8A

功率-最大

70W

開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

22nC

25°C時的Td(開/關)

11ns/115ns

測試條件

400V, 4A, 48Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

40ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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