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2SA2169-TL-E

2SA2169-TL-E

僅供參考

型號 2SA2169-TL-E
PNEDA編號 2SA2169-TL-E
描述 TRANS PNP 50V 10A TP-FA
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 16,812
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 20 - 七月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SA2169-TL-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SA2169-TL-E
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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2SA2169-TL-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)10A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic580mV @ 250mA, 5A
當前-集電極截止(最大值)10µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 1A, 2V
功率-最大950mW
頻率-過渡130MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝2-TP-FA

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

1W

頻率-過渡

175MHz

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 100mA, 2V

功率-最大

500mW

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工作溫度

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Surface Mount

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 200mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 1A, 4V

功率-最大

30W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220-3

2N4124TFR

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

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制造商

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系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 10mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

400MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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