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2SA1962RTU

2SA1962RTU

僅供參考

型號 2SA1962RTU
PNEDA編號 2SA1962RTU
描述 TRANS PNP 250V 17A TO-3P
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,020
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 29 - 五月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SA1962RTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SA1962RTU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SA1962RTU, 2SA1962RTU數據表 (總頁數: 8, 大小: 560.1 KB)
PDFFJA4213RTU數據表 封面
FJA4213RTU數據表 頁面 2 FJA4213RTU數據表 頁面 3 FJA4213RTU數據表 頁面 4 FJA4213RTU數據表 頁面 5 FJA4213RTU數據表 頁面 6 FJA4213RTU數據表 頁面 7 FJA4213RTU數據表 頁面 8

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2SA1962RTU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)17A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)250V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3V @ 800mA, 8A
當前-集電極截止(最大值)5µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce55 @ 1A, 5V
功率-最大130W
頻率-過渡30MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝TO-3P

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制造商

Infineon Technologies

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

210 @ 1A, 2V

功率-最大

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制造商

Diodes Incorporated

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

70V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 10mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

7A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

140V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

12 @ 4A, 10V

功率-最大

60W

頻率-過渡

6MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

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工作溫度

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