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2SA1955FVATPL3Z

2SA1955FVATPL3Z

僅供參考

型號 2SA1955FVATPL3Z
PNEDA編號 2SA1955FVATPL3Z
描述 TRANS PNP 12V 0.4A VESM
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 90,138
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 9 - 七月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SA1955FVATPL3Z資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SA1955FVATPL3Z
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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2SA1955FVATPL3Z規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)400mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 10mA, 200mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce300 @ 10mA, 2V
功率-最大100mW
頻率-過渡130MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-101, SOT-883
供應商設備包裝CST3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

65 @ 1mA, 6V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

650MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 20mA, 10A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 10A, 4V

功率-最大

30W

頻率-過渡

130MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

4.2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 200mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 2A, 2V

功率-最大

2.5W

頻率-過渡

115MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

1μA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

800mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

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