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2N6426RLRA

2N6426RLRA

僅供參考

型號 2N6426RLRA
PNEDA編號 2N6426RLRA
描述 TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,056
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 18 - 五月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N6426RLRA資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N6426RLRA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2N6426RLRA, 2N6426RLRA數據表 (總頁數: 6, 大小: 113.43 KB)
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2N6426RLRA規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 500µA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)1μA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30000 @ 100mA, 5V
功率-最大625mW
頻率-過渡-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

-

包裝/箱

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

1μA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 10V

功率-最大

800mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

供應商設備包裝

TO-5

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

400 @ 500mA, 4V

功率-最大

30W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-243AA

供應商設備包裝

SOT-89

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Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 1V

功率-最大

310mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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