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2N6107G

2N6107G

僅供參考

型號 2N6107G
PNEDA編號 2N6107G
描述 TRANS PNP 70V 7A TO220AB
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 91,146
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 5 - 七月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N6107G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N6107G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2N6107G, 2N6107G數據表 (總頁數: 6, 大小: 246.38 KB)
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2N6107G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)7A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)70V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3.5V @ 3A, 7A
當前-集電極截止(最大值)1mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 2A, 4V
功率-最大40W
頻率-過渡10MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 40mA, 750mA

當前-集電極截止(最大值)

15µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

35 @ 750mA, 4V

功率-最大

1.75W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

160V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 1V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

450V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 250mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

16 @ 500mA, 2V

功率-最大

1.6W

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 20mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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