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KSC2330RBU

KSC2330RBU

僅供參考

型號 KSC2330RBU
PNEDA編號 KSC2330RBU
描述 TRANS NPN 300V 0.1A TO-92L
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,140
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 18 - 七月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSC2330RBU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSC2330RBU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSC2330RBU, KSC2330RBU數據表 (總頁數: 6, 大小: 191.18 KB)
PDFKSC2330RBU數據表 封面
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KSC2330RBU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)300V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 20mA, 10V
功率-最大1W
頻率-過渡50MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供應商設備包裝TO-92-3

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PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 150mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 500mA, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

45MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-225AA, TO-126-3

供應商設備包裝

TO-126-3

BC847CMTF

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

420 @ 2mA, 5V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.25V @ 8mA, 800mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10000 @ 500mA, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

E-Line-3

供應商設備包裝

E-Line (TO-92 compatible)

2SB1203S-H-TL-E

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

550mV @ 150mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

140 @ 500mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

130MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

5V @ 800mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

4 @ 5A, 5V

功率-最大

60W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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