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2N4123RLRM

2N4123RLRM

僅供參考

型號 2N4123RLRM
PNEDA編號 2N4123RLRM
描述 TRANS NPN 30V 0.2A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,348
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 7 - 五月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N4123RLRM資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N4123RLRM
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2N4123RLRM, 2N4123RLRM數據表 (總頁數: 6, 大小: 115.69 KB)
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2N4123RLRM規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)200mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)50nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce50 @ 2mA, 1V
功率-最大625mW
頻率-過渡250MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

32V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.4V @ 200µA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 2mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

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-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 100mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 2A, 2V

功率-最大

1.1W

頻率-過渡

165MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

22V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 100mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

340 @ 500mA, 2V

功率-最大

750mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

900mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

220MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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