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BCW32T116

BCW32T116

僅供參考

型號 BCW32T116
PNEDA編號 BCW32T116
描述 TRANS NPN 32V 0.1A SST3
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,066
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 16 - 七月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BCW32T116資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BCW32T116
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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BCW32T116規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)32V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 2mA, 5V
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SST3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 10V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

700mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 100mA, 3V

功率-最大

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頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

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10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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