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2DM150606CM

2DM150606CM

僅供參考

型號 2DM150606CM
PNEDA編號 2DM150606CM
描述 IC IBGT GATE DRIVER
制造商 Tamura
單價 請求報價
庫存 4,428
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 21 - 五月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2DM150606CM資源

品牌 Tamura
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2DM150606CM
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
2DM150606CM, 2DM150606CM數據表 (總頁數: 15, 大小: 329.06 KB)
PDF2DM150606CM數據表 封面
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2DM150606CM規格

制造商Tamura
系列-
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Independent
驅動程序數量2
門類型IGBT
電壓-供電15V ~ 24V
邏輯電壓-VIL,VIH0.8V, 2V
電流-峰值輸出(源極,接收器)-
輸入類型-
高壓側-最大(自舉)-
上升/下降時間(典型值)-
工作溫度-30°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Through Hole
包裝/箱34-DIP Module, 31 Leads
供應商設備包裝0502

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N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

3A, 3A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

28ns, 32ns

工作溫度

0°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

16-SOIC

ISL6610IBZ-T

Renesas Electronics America Inc.

制造商

Renesas Electronics America Inc.

系列

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

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驅動程序數量

4

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

-, 4A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

36V

上升/下降時間(典型值)

8ns, 8ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

14-SOIC

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Renesas Electronics America Inc.

制造商

Renesas Electronics America Inc.

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

6.8V ~ 13.2V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2.5A, 4A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

36V

上升/下降時間(典型值)

13ns, 10ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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Microchip Technology

系列

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驅動配置

Low-Side

頻道類型

Independent

驅動程序數量

4

門類型

N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.2A, 1.2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

14ns, 13ns

工作溫度

0°C ~ 70°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

系列

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.9V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

200mA, 350mA

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

150ns, 50ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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