NGD8201NT4G數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - IGBT類型 - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 440V 當前-集電極（Ic）（最大值） 20A 電流-集電極脈沖（Icm） 50A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 1.9V @ 4.5V, 20A 功率-最大 125W 開關能量 - 輸入類型 Logic 門禁費用 - 25°C時的Td（開/關） -/5µs 測試條件 300V, 9A, 1kOhm, 5V 反向恢復時間（trr） - 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝 DPAK |
制造商 ON Semiconductor 系列 - IGBT類型 - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 440V 當前-集電極（Ic）（最大值） 20A 電流-集電極脈沖（Icm） 50A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 1.9V @ 4.5V, 20A 功率-最大 125W 開關能量 - 輸入類型 Logic 門禁費用 - 25°C時的Td（開/關） -/5µs 測試條件 300V, 9A, 1kOhm, 5V 反向恢復時間（trr） - 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝 DPAK |
