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NGD8201NT4G

NGD8201NT4G

僅供參考

型號 NGD8201NT4G
PNEDA編號 NGD8201NT4G
描述 IGBT 440V 20A 125W DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,704
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 31 - 四月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NGD8201NT4G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NGD8201NT4G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
NGD8201NT4G, NGD8201NT4G數據表 (總頁數: 8, 大小: 121.94 KB)
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NGD8201NT4G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)440V
當前-集電極(Ic)(最大值)20A
電流-集電極脈沖(Icm)50A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.9V @ 4.5V, 20A
功率-最大125W
開關能量-
輸入類型Logic
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-/5µs
測試條件300V, 9A, 1kOhm, 5V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

300A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 50A

功率-最大

500W

開關能量

1mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

170nC

25°C時的Td(開/關)

28ns/160ns

測試條件

400V, 50A, 3.3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

35ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

500A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 100A

功率-最大

830W

開關能量

1.7mJ (on), 1mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

370nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/120ns

測試條件

400V, 80A, 1Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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ON Semiconductor

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1000V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 40A

功率-最大

333W

開關能量

2.35mJ (on), 1.15mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

265nC

25°C時的Td(開/關)

29ns/285ns

測試條件

600V, 40A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

78ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247-3

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

47A

電流-集電極脈沖(Icm)

54A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.95V @ 15V, 18A

功率-最大

206W

開關能量

95µJ (on), 350µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

35nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/105ns

測試條件

400V, 18A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

100ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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