晶體管

型號	描述	庫存
DTD113EKT146 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 1 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 1 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 33 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3	庫存4,716
DTD113ZCHZGT116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR (WI 制造商: Rohm Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: NPN - Pre-Biased + Diode 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: 1 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存259,518
DTD113ZCT116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 1 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存26,616
DTD113ZKT146 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 1 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3	庫存76,704
DTD113ZUT106 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 1 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: UMT3	庫存8,730
DTD114ECHZGT116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 500MA SST3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: NPN - Pre-Biased + Diode 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: 10 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存8,928
DTD114ECT116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存26,868
DTD114EKT146 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3	庫存91,422
DTD114ESTP Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: SC-72 Formed Leads 供應商設備包裝: SPT	庫存2,100
DTD114GCT116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: - 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存6,894
DTD114GKT146 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: - 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3	庫存3,348
DTD122JKT146 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 220 Ohms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 47 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3	庫存5,058
DTD123ECT116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 39 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存27,690
DTD123EKT146 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 39 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3	庫存6,228
DTD123TCHZGT116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 500MA/40V DIGITAL TRANSISTOR (WI 制造商: Rohm Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: NPN - Pre-Biased + Diode 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存28,440
DTD123TCT116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存4,716
DTD123TKT146 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3	庫存217,104
DTD123TSTP Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: SC-72 Formed Leads 供應商設備包裝: SPT	庫存8,478
DTD123YCHZGT116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 DTD123YCHZG IS THE HIGH RELIABIL 制造商: Rohm Semiconductor 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: - 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: - 功率-最大: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,938
DTD123YCT116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存92,754
DTD123YKT146 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3	庫存136,410
DTD133HKT146 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 3.3 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3	庫存8,928
DTD143ECHZGT116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR (WI 制造商: Rohm Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: NPN - Pre-Biased + Diode 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 47 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存22,782
DTD143ECT116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 47 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存5,976
DTD143ECT216 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SST3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 47 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存5,328
DTD143EKFRAT146 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 DTD143EKFRA IS A TRANSISTOR WITH 制造商: Rohm Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 47 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3	庫存21,696
DTD143EKT146 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 47 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3	庫存8,820
DTD143TKT146 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3	庫存4,590
DTD513ZETL Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 電阻-基本（R1）: 1 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 260MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: EMT3	庫存6,300
DTD513ZMGT2L Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 DIGITAL TRANSISTOR (500MA/12V), 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 電阻-基本（R1）: 1 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 260MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: VMT3	庫存4,482

DTD113EKT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 1 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 1 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 33 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3

庫存4,716

DTD113ZCHZGT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR (WI

制造商: Rohm Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: NPN - Pre-Biased + Diode
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: 1 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存259,518

DTD113ZCT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 1 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存26,616

DTD113ZKT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 1 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3

庫存76,704

DTD113ZUT106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 1 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: UMT3

庫存8,730

DTD114ECHZGT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 500MA SST3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: NPN - Pre-Biased + Diode
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: 10 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存8,928

DTD114ECT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存26,868

DTD114EKT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3

庫存91,422

DTD114ESTP

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: SC-72 Formed Leads
供應商設備包裝: SPT

庫存2,100

DTD114GCT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: -
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存6,894

DTD114GKT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: -
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3

庫存3,348

DTD122JKT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 220 Ohms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 47 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3

庫存5,058

DTD123ECT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 39 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存27,690

DTD123EKT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 39 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3

庫存6,228

DTD123TCHZGT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

500MA/40V DIGITAL TRANSISTOR (WI

制造商: Rohm Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: NPN - Pre-Biased + Diode
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存28,440

DTD123TCT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存4,716

DTD123TKT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3

庫存217,104

DTD123TSTP

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: SC-72 Formed Leads
供應商設備包裝: SPT

庫存8,478

DTD123YCHZGT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

DTD123YCHZG IS THE HIGH RELIABIL

制造商: Rohm Semiconductor
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: -
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: -
功率-最大: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,938

DTD123YCT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存92,754

DTD123YKT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3

庫存136,410

DTD133HKT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 3.3 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3

庫存8,928

DTD143ECHZGT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR (WI

制造商: Rohm Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: NPN - Pre-Biased + Diode
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 47 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存22,782

DTD143ECT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 47 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存5,976

DTD143ECT216

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SST3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 47 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存5,328

DTD143EKFRAT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

DTD143EKFRA IS A TRANSISTOR WITH

制造商: Rohm Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 47 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3

庫存21,696

DTD143EKT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 47 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3

庫存8,820

DTD143TKT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3

庫存4,590

DTD513ZETL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
電阻-基本（R1）: 1 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 260MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: EMT3

庫存6,300

DTD513ZMGT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

DIGITAL TRANSISTOR (500MA/12V),

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
電阻-基本（R1）: 1 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 260MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: VMT3

庫存4,482

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