晶體管

APTGT20H60T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Full Bridge Inverter
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 32A
• 功率-最大: 62W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 20A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 1.1nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP1
• 供應商設備包裝: SP1

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APTGT20H60T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Full Bridge Inverter
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 32A
• 功率-最大: 62W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 20A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 1.1nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP3
• 供應商設備包裝: SP3

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APTGT20TL601G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

MOD IGBT 600V 32A SP1

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Three Level Inverter
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 32A
• 功率-最大: 62W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 20A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 1.1pF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP1
• 供應商設備包裝: SP1

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APTGT20X60T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE TRENCH 3PH BRDG SP3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Three Phase Inverter
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 32A
• 功率-最大: 62W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 20A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 1.1nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP3
• 供應商設備包裝: SP3

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APTGT225A170G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP6

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Half Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 340A
• 功率-最大: 1250W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 225A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 20nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP6
• 供應商設備包裝: SP6

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APTGT225DA170G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1700V 340A 1250W SP6

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 340A
• 功率-最大: 1250W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 225A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 20nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP6
• 供應商設備包裝: SP6

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APTGT225DU170G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Dual, Common Source
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 340A
• 功率-最大: 1250W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 225A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 20nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP6
• 供應商設備包裝: SP6

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APTGT225SK170G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1700V 340A 1250W SP6

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 340A
• 功率-最大: 1250W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 225A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 20nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP6
• 供應商設備包裝: SP6

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APTGT25A120D1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Half Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
• 功率-最大: 140W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 25A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 1.8nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: D1
• 供應商設備包裝: D1

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APTGT25A120T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Half Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
• 功率-最大: 156W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 25A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 1.8nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP1
• 供應商設備包裝: SP1

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APTGT25DA120D1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 40A 140W D1

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
• 功率-最大: 140W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 25A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 1.8nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: D1
• 供應商設備包裝: D1

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APTGT25H120T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Full Bridge Inverter
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
• 功率-最大: 156W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 25A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 1.8nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP1
• 供應商設備包裝: SP1

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APTGT25SK120D1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 40A 140W D1

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
• 功率-最大: 140W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 25A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 1.8nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: D1
• 供應商設備包裝: D1

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APTGT25X120T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE TRENCH 3PH BRDG SP3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Three Phase Inverter
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
• 功率-最大: 156W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 25A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 1.8nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP3
• 供應商設備包裝: SP3

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APTGT300A120D3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Half Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 440A
• 功率-最大: 1250W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 300A
• 當前-集電極截止（最大值）: 8mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 20nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: D-3 Module
• 供應商設備包裝: D3

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APTGT300A120G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP6

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Half Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 420A
• 功率-最大: 1380W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 300A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 21nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP6
• 供應商設備包裝: SP6

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APTGT300A170D3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Half Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 530A
• 功率-最大: 1470W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 300A
• 當前-集電極截止（最大值）: 8mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 26nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: D-3 Module
• 供應商設備包裝: D3

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APTGT300A170G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT PHASE TRENCH FIELD STOP SP6

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Half Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 400A
• 功率-最大: 1660W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 300A
• 當前-集電極截止（最大值）: 750µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 26.5nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP6
• 供應商設備包裝: SP6

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APTGT300A60D3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Half Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 400A
• 功率-最大: 940W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 300A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 18.5nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: D-3 Module
• 供應商設備包裝: D3

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APTGT300A60G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP6

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Half Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 430A
• 功率-最大: 1150W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.8V @ 15V, 300A
• 當前-集電極截止（最大值）: 350µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 24nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP6
• 供應商設備包裝: SP6

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APTGT300A60TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP4

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Half Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 430A
• 功率-最大: 935W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 300A
• 當前-集電極截止（最大值）: 350µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 18.4nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP4
• 供應商設備包裝: SP4

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APTGT300DA120D3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 440A 1250W D3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 440A
• 功率-最大: 1250W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 300A
• 當前-集電極截止（最大值）: 8mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 20nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: D-3 Module
• 供應商設備包裝: D3

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APTGT300DA120G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT PHASE BOOST CHOP 1200V SP6

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 420A
• 功率-最大: 1380W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 300A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 21nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP6
• 供應商設備包裝: SP6

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APTGT300DA170D3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1700V 530A 1470W D3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 530A
• 功率-最大: 1470W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 300A
• 當前-集電極截止（最大值）: 8mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 26nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: D-3 Module
• 供應商設備包裝: D3

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APTGT300DA170G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1700V 400A 1660W SP6

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 400A
• 功率-最大: 1660W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 300A
• 當前-集電極截止（最大值）: 750µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 26.5nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP6
• 供應商設備包裝: SP6

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APTGT300DA60D3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 400A 940W D3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 400A
• 功率-最大: 940W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 300A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 18.5nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: D-3 Module
• 供應商設備包裝: D3

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APTGT300DA60G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 430A 1150W SP6

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 430A
• 功率-最大: 1150W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.8V @ 15V, 300A
• 當前-集電極截止（最大值）: 350µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 24nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP6
• 供應商設備包裝: SP6

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APTGT300DH60G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Asymmetrical Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 430A
• 功率-最大: 1150W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.8V @ 15V, 300A
• 當前-集電極截止（最大值）: 350µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 24nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP6
• 供應商設備包裝: SP6

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APTGT300DU120G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Dual, Common Source
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 420A
• 功率-最大: 1380W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 300A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 21nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP6
• 供應商設備包裝: SP6

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APTGT300DU170G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT TRENCH DUAL SOURCE 1700V SP

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Dual, Common Source
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 400A
• 功率-最大: 1660W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 300A
• 當前-集電極截止（最大值）: 750µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 26.5nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP6
• 供應商設備包裝: SP6

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