晶體管

型號	描述	庫存
APTGF50DH120TG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Asymmetrical Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A 功率-最大: 312W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 3.45nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存7,146
APTGF50DH60T1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT NPT BRIDGE 600V 65A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Asymmetrical Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65A 功率-最大: 250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 2.2nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存2,808
APTGF50DH60TG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Asymmetrical Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65A 功率-最大: 250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 2.2nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存6,426
APTGF50DSK120T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 MOD IGBT NPT 1200V 70A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Dual Buck Chopper 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70A 功率-最大: 312W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 3.45nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存2,106
APTGF50DSK60T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MODULE NPT BUCK CHOP SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Dual Buck Chopper 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65A 功率-最大: 250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 2.2nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存2,736
APTGF50DU120TG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MODULE NPT DUAL SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Dual, Common Source 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A 功率-最大: 312W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 3.45nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存7,434
APTGF50H120TG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Full Bridge Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A 功率-最大: 312W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 3.45nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存8,982
APTGF50H60T1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Full Bridge Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65A 功率-最大: 250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 2.2nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存2,124
APTGF50H60T2G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP2 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Full Bridge Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65A 功率-最大: 250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 2.2nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存5,832
APTGF50H60T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MODULE IGBT 600V 50A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Full Bridge Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65A 功率-最大: 250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 2.2nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存4,860
APTGF50SK120T1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 75A 312W SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A 功率-最大: 312W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 3.45nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存7,650
APTGF50SK120TG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 75A 312W SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A 功率-最大: 312W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 3.45nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存8,784
APTGF50TA120PG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MODULE NPT TRPL PHASE SP6P 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Three Phase 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A 功率-最大: 312W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 3.45nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6-P	庫存7,002
APTGF50TDU120PG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MODULE NPT TRPL DUAL SP6-P 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Triple, Dual - Common Source 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A 功率-最大: 312W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 3.45nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6-P	庫存5,274
APTGF50TL60T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT ARRAY 600V 65A 250W SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Three Level Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65A 功率-最大: 250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 2.2nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存6,678
APTGF50VDA120T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MOD IGBT NPT DL BOOST SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Dual Boost Chopper 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70A 功率-最大: 312W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 3.45nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存3,204
APTGF50VDA60T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MOD IGBT NPT DL BOOST SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Dual Boost Chopper 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65A 功率-最大: 250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 2.2nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存3,204
APTGF50X60T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MODULE NPT 3PH BRIDGE SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Three Phase Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65A 功率-最大: 250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 2.2nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存3,546
APTGF530U120D4G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 700A 3900W D4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 700A 功率-最大: 3900W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 600A 當前-集電極截止（最大值）: 5mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 37nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: D4 供應商設備包裝: D4	庫存5,616
APTGF660U60D4G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 600V 860A 2800W D4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 860A 功率-最大: 2800W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 800A 當前-集電極截止（最大值）: 500µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 36nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: D4 供應商設備包裝: D4	庫存7,038
APTGF75DA120T1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 100A 500W SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 功率-最大: 500W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 5.1nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存5,310
APTGF75DA60D1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 600V 100A 355W D1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 功率-最大: 355W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 500µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 3.3nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: D1 供應商設備包裝: D1	庫存5,076
APTGF75DDA120TG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MODULE NPT BOOST CHOP SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Dual, Common Source 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 功率-最大: 500W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 5.1nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存7,452
APTGF75DH120TG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Asymmetrical Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 功率-最大: 500W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 5.1nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存6,462
APTGF75DSK120TG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MODULE NPT BUCK CHOP SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Dual, Common Source 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 功率-最大: 500W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 5.1nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存7,794
APTGF75H120TG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MODULE IGBT 1200V 75A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Full Bridge Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 功率-最大: 500W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 5.1nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存3,078
APTGF75SK60D1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 600V 100A 355W D1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 功率-最大: 355W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 500µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 3.3nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: D1 供應商設備包裝: D1	庫存4,176
APTGF90A60D1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MODULE NPT PHASE LEG D1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 功率-最大: - Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 輸入電容（Cies）@ Vce: - 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: D1 供應商設備包裝: D1	庫存2,106
APTGF90A60T1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A 功率-最大: 416W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 90A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.3nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存6,786
APTGF90A60TG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A 功率-最大: 416W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 90A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.3nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存8,388

APTGF50DH120TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Asymmetrical Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A
功率-最大: 312W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 3.45nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存7,146

APTGF50DH60T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT NPT BRIDGE 600V 65A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Asymmetrical Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 65A
功率-最大: 250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 2.2nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存2,808

APTGF50DH60TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Asymmetrical Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 65A
功率-最大: 250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 2.2nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存6,426

APTGF50DSK120T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

MOD IGBT NPT 1200V 70A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Dual Buck Chopper
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 70A
功率-最大: 312W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 3.45nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存2,106

APTGF50DSK60T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE NPT BUCK CHOP SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Dual Buck Chopper
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 65A
功率-最大: 250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 2.2nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存2,736

APTGF50DU120TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE NPT DUAL SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Dual, Common Source
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A
功率-最大: 312W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 3.45nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存7,434

APTGF50H120TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Full Bridge Inverter
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A
功率-最大: 312W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 3.45nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存8,982

APTGF50H60T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Full Bridge Inverter
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 65A
功率-最大: 250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 2.2nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存2,124

APTGF50H60T2G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP2

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Full Bridge Inverter
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 65A
功率-最大: 250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 2.2nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存5,832

APTGF50H60T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MODULE IGBT 600V 50A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Full Bridge Inverter
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 65A
功率-最大: 250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 2.2nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存4,860

APTGF50SK120T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 75A 312W SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A
功率-最大: 312W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 3.45nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存7,650

APTGF50SK120TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 75A 312W SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A
功率-最大: 312W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 3.45nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存8,784

APTGF50TA120PG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE NPT TRPL PHASE SP6P

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Three Phase
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A
功率-最大: 312W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 3.45nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6-P

庫存7,002

APTGF50TDU120PG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE NPT TRPL DUAL SP6-P

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Triple, Dual - Common Source
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A
功率-最大: 312W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 3.45nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6-P

庫存5,274

APTGF50TL60T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT ARRAY 600V 65A 250W SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Three Level Inverter
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 65A
功率-最大: 250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 2.2nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存6,678

APTGF50VDA120T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MOD IGBT NPT DL BOOST SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Dual Boost Chopper
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 70A
功率-最大: 312W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 3.45nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存3,204

APTGF50VDA60T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MOD IGBT NPT DL BOOST SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Dual Boost Chopper
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 65A
功率-最大: 250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 2.2nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存3,204

APTGF50X60T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE NPT 3PH BRIDGE SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Three Phase Inverter
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 65A
功率-最大: 250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 2.2nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存3,546

APTGF530U120D4G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 700A 3900W D4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 700A
功率-最大: 3900W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 600A
當前-集電極截止（最大值）: 5mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 37nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: D4
供應商設備包裝: D4

庫存5,616

APTGF660U60D4G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 860A 2800W D4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 860A
功率-最大: 2800W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 800A
當前-集電極截止（最大值）: 500µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 36nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: D4
供應商設備包裝: D4

庫存7,038

APTGF75DA120T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 100A 500W SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
功率-最大: 500W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 5.1nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存5,310

APTGF75DA60D1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 100A 355W D1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
功率-最大: 355W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 500µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 3.3nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: D1
供應商設備包裝: D1

庫存5,076

APTGF75DDA120TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE NPT BOOST CHOP SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Dual, Common Source
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
功率-最大: 500W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 5.1nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存7,452

APTGF75DH120TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Asymmetrical Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
功率-最大: 500W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 5.1nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存6,462

APTGF75DSK120TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE NPT BUCK CHOP SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Dual, Common Source
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
功率-最大: 500W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 5.1nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存7,794

APTGF75H120TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MODULE IGBT 1200V 75A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Full Bridge Inverter
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
功率-最大: 500W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 5.1nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存3,078

APTGF75SK60D1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 100A 355W D1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
功率-最大: 355W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 500µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 3.3nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: D1
供應商設備包裝: D1

庫存4,176

APTGF90A60D1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE NPT PHASE LEG D1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
功率-最大: -
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
輸入電容（Cies）@ Vce: -
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: D1
供應商設備包裝: D1

庫存2,106

APTGF90A60T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A
功率-最大: 416W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 90A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.3nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存6,786

APTGF90A60TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A
功率-最大: 416W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 90A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.3nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存8,388

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