晶體管

型號	描述	庫存
UPA2815T1S-E2-AT Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 21A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1760pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-HWSON (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerWDFN	庫存4,176
UPA2816T1S-E2-AT Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 17A 8HWSON 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33.4nC @ 10V Vgs（最大）: +20V, -25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1160pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-HWSON (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerWDFN	庫存7,380
UPA2820T1S-E2-AT Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 8HVSON 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.3mOhm @ 22A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2330pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 16W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: - 包裝/箱: 8-PowerWDFN	庫存6,660
UPA2821T1L-E1-AT Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 26A 8HVSON 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 26A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2490pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-HWSON (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerWDFN	庫存6,606
UPA2822T1L-E1-AT Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 34A 8HVSON 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6mOhm @ 34A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 83nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4660pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-HWSON (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerWDFN	庫存3,996
UPA2825T1S-E2-AT Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 8HVSON 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.6mOhm @ 24A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2600pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 16.5W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: - 包裝/箱: 8-PowerWDFN	庫存5,058
US5U1TR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 80pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TUMT5 包裝/箱: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead	庫存5,346
US5U29TR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.1nC @ 5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TUMT5 包裝/箱: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead	庫存2,412
US5U2TR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT5 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 1.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 70pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TUMT5 包裝/箱: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead	庫存7,290
US5U30TR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.1nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TUMT5 包裝/箱: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead	庫存4,590
US5U35TR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 45V 700MA TUMT5 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 45V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 700mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 700mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.7nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 120pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TUMT5 包裝/箱: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead	庫存22,884
US5U38TR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.1nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TUMT5 包裝/箱: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead	庫存8,298
US5U3TR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: 12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 80pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TUMT5 包裝/箱: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead	庫存50,214
US6U37TR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT6 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 80pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TUMT6 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads	庫存7,308
VEC2415-TL-EX ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 INTEGRATED CIRCUIT 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存6,786
VM0550-2F IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 590A MODULE 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 590A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2000nC @ 10V Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2200W 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: Module 包裝/箱: Module	庫存6,120
VMO1200-01F IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 1245A Y3-LI 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1220A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.35mOhm @ 932A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 64mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2520nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: Y3-Li 包裝/箱: Y3-Li	庫存4,896
VMO150-01P1 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 165A ECO-PAC2 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 165A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 400nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 400W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: ECO-PAC2 包裝/箱: ECO-PAC2	庫存8,154
VMO1600-02P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 1900A Y3-LI 制造商: IXYS 系列: PolarHT™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1900A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 1600A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2900nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: Y3-Li 包裝/箱: Y3-Li	庫存8,568
VMO40-05P1 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH ECO-PAC2 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: ECO-PAC2 包裝/箱: ECO-PAC2	庫存4,932
VMO550-01F IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 590A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 6V @ 110mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2000nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2200W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: Y3-DCB 包裝/箱: Y3-DCB	庫存6,516
VMO580-02F IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 580A MODULE 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 580A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 430A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 50mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2750nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: Y3-Li 包裝/箱: Y3-Li	庫存5,886
VMO60-05F IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 60A TO-240AA 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 24mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 405nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 590W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: TO-240AA 包裝/箱: TO-240AA	庫存2,844
VMO650-01F IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 690A MODULE 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 690A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 6V @ 130mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2300nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 59000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2500W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: Y3-DCB 包裝/箱: Y3-DCB	庫存8,676
VMO80-05P1 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH ECO-PAC2 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: ECO-PAC2 包裝/箱: ECO-PAC2	庫存4,842
VN0104N3-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 65pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92-3 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	庫存14,958
VN0104N3-G-P013 Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 65pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92-3 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	庫存6,948
VN0106N3-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 65pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92-3 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	庫存17,448
VN0106N3-G-P003 Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 65pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92-3 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	庫存8,928
VN0109N3-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 90V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 65pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92-3 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	庫存14,172

UPA2815T1S-E2-AT

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 21A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1760pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-HWSON (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerWDFN

庫存4,176

UPA2816T1S-E2-AT

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 17A 8HWSON

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33.4nC @ 10V
Vgs（最大）: +20V, -25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1160pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-HWSON (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerWDFN

庫存7,380

UPA2820T1S-E2-AT

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 8HVSON

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.3mOhm @ 22A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2330pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 16W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: -
包裝/箱: 8-PowerWDFN

庫存6,660

UPA2821T1L-E1-AT

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 26A 8HVSON

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 26A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2490pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-HWSON (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerWDFN

庫存6,606

UPA2822T1L-E1-AT

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 34A 8HVSON

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6mOhm @ 34A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 83nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4660pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-HWSON (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerWDFN

庫存3,996

UPA2825T1S-E2-AT

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 8HVSON

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.6mOhm @ 24A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2600pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 16.5W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: -
包裝/箱: 8-PowerWDFN

庫存5,058

US5U1TR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 80pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TUMT5
包裝/箱: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead

庫存5,346

US5U29TR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.1nC @ 5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TUMT5
包裝/箱: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead

庫存2,412

US5U2TR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT5

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 70pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TUMT5
包裝/箱: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead

庫存7,290

US5U30TR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TUMT5
包裝/箱: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead

庫存4,590

US5U35TR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 45V 700MA TUMT5

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 45V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 700mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 700mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.7nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 120pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TUMT5
包裝/箱: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead

庫存22,884

US5U38TR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TUMT5
包裝/箱: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead

庫存8,298

US5U3TR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: 12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 80pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TUMT5
包裝/箱: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead

庫存50,214

US6U37TR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT6

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 80pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TUMT6
包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads

庫存7,308

VEC2415-TL-EX

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

INTEGRATED CIRCUIT

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存6,786

VM0550-2F

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 590A MODULE

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 590A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2000nC @ 10V
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2200W
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: Module
包裝/箱: Module

庫存6,120

VMO1200-01F

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 1245A Y3-LI

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1220A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.35mOhm @ 932A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 64mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2520nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: Y3-Li
包裝/箱: Y3-Li

庫存4,896

VMO150-01P1

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 165A ECO-PAC2

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 165A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 400nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 400W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: ECO-PAC2
包裝/箱: ECO-PAC2

庫存8,154

VMO1600-02P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 1900A Y3-LI

制造商: IXYS
系列: PolarHT™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1900A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 1600A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2900nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: Y3-Li
包裝/箱: Y3-Li

庫存8,568

VMO40-05P1

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH ECO-PAC2

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: ECO-PAC2
包裝/箱: ECO-PAC2

庫存4,932

VMO550-01F

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 590A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 6V @ 110mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2000nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2200W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: Y3-DCB
包裝/箱: Y3-DCB

庫存6,516

VMO580-02F

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 580A MODULE

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 580A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 430A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 50mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2750nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: Y3-Li
包裝/箱: Y3-Li

庫存5,886

VMO60-05F

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 60A TO-240AA

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 24mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 405nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 590W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: TO-240AA
包裝/箱: TO-240AA

庫存2,844

VMO650-01F

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 690A MODULE

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 690A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 6V @ 130mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2300nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 59000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2500W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: Y3-DCB
包裝/箱: Y3-DCB

庫存8,676

VMO80-05P1

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH ECO-PAC2

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: ECO-PAC2
包裝/箱: ECO-PAC2

庫存4,842

VN0104N3-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 65pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92-3
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

庫存14,958

VN0104N3-G-P013

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 65pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92-3
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

庫存6,948

VN0106N3-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 65pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92-3
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

庫存17,448

VN0106N3-G-P003

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 65pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92-3
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

庫存8,928

VN0109N3-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 90V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 65pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92-3
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

庫存14,172

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