晶體管

型號	描述	庫存
STP10LN80K5 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 8A TO-220 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 630mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 427pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存14,526
STP10N105K5 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1050V 6A TO-220AB 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ K5 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1050V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21.5nC @ 10V Vgs（最大）: 30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 545pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 130W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存13,740
STP10N60M2 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V TO-220 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ II Plus FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 85W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存15,252
STP10N62K3 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220 制造商: STMicroelectronics 系列: SuperMESH3™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 620V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1250pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存19,584
STP10N65K3 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 10A TO220 制造商: STMicroelectronics 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 3.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1180pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存7,776
STP10N95K5 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 950V 8A TO-220 制造商: STMicroelectronics 系列: SuperMESH5™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 950V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 630pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 130W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存13,056
STP10NK50Z STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 9A TO-220 制造商: STMicroelectronics 系列: SuperMESH™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1219pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存4,374
STP10NK60Z STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 制造商: STMicroelectronics 系列: SuperMESH™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1370pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 115W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存27,048
STP10NK60ZFP STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP 制造商: STMicroelectronics 系列: SuperMESH™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1370pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 35W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存23,814
STP10NK70Z STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 700V 8.6A TO-220 制造商: STMicroelectronics 系列: SuperMESH™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存7,572
STP10NK70ZFP STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 700V 8.6A TO-220FP 制造商: STMicroelectronics 系列: SuperMESH™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 35W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存6,312
STP10NK80Z STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 9A TO-220 制造商: STMicroelectronics 系列: SuperMESH™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2180pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 190W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存13,356
STP10NK80ZFP STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 9A TO-220FP 制造商: STMicroelectronics 系列: SuperMESH™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2180pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 40W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存4,608
STP10NM50N STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 7A TO220 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 630mOhm @ 3.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 450pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 70W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存4,428
STP10NM60N STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 10A TO220 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 540pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 70W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存18,588
STP10NM60ND STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 8A TO-220 制造商: STMicroelectronics 系列: FDmesh™ II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 577pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 70W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存3,060
STP10NM65N STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 9A TO-220 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 850pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 90W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存6,642
STP10P6F6 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P CH 60V 10A TO-220 制造商: STMicroelectronics 系列: DeepGATE™, STripFET™ VI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 48V FET功能: - 功耗（最大值）: 30W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存16,512
STP110N10F7 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 100V 110A TO-220 制造商: STMicroelectronics 系列: DeepGATE™, STripFET™ VII FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 55A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5500pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存3,690
STP110N55F6 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 55V 110A TO-220 制造商: STMicroelectronics 系列: DeepGATE™, STripFET™ VI FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8350pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存10,104
STP110N7F6 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 68V 110A TO220 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ F6 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 68V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 55A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5850pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 176W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存13,182
STP110N8F6 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 110A TO-220 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ F6 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 55A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9130pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 200W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存23,280
STP110N8F7 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 80A TO-220 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 46.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3435pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 170W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存17,424
STP11N52K3 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 525V 10A TO-220 制造商: STMicroelectronics 系列: SuperMESH3™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 525V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 510mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存14,820
STP11N60DM2 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP., 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ DM2 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 614pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存12,894
STP11N65M2 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 7A TO-220AB 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ II Plus FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 670mOhm @ 3.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 85W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存6,066
STP11N65M5 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 650V 9A TO-220 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ V FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 644pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 85W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存6,948
STP11NK40Z STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 400V 9A TO-220 制造商: STMicroelectronics 系列: SuperMESH™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 930pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存8,190
STP11NK40ZFP STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 400V 9A TO-220FP 制造商: STMicroelectronics 系列: SuperMESH™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 930pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 30W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存3,348
STP11NK50Z STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 10A TO-220 制造商: STMicroelectronics 系列: SuperMESH™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 520mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1390pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存5,004

STP10LN80K5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 8A TO-220

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 630mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 427pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存14,526

STP10N105K5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1050V 6A TO-220AB

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ K5
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1050V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21.5nC @ 10V
Vgs（最大）: 30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 545pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 130W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存13,740

STP10N60M2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V TO-220

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ II Plus
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 85W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存15,252

STP10N62K3

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220

制造商: STMicroelectronics
系列: SuperMESH3™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 620V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1250pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存19,584

STP10N65K3

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 10A TO220

制造商: STMicroelectronics
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 3.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1180pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存7,776

STP10N95K5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 950V 8A TO-220

制造商: STMicroelectronics
系列: SuperMESH5™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 950V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 630pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 130W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存13,056

STP10NK50Z

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 9A TO-220

制造商: STMicroelectronics
系列: SuperMESH™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1219pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存4,374

STP10NK60Z

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 10A TO-220

制造商: STMicroelectronics
系列: SuperMESH™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1370pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 115W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存27,048

STP10NK60ZFP

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP

制造商: STMicroelectronics
系列: SuperMESH™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1370pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 35W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存23,814

STP10NK70Z

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 700V 8.6A TO-220

制造商: STMicroelectronics
系列: SuperMESH™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存7,572

STP10NK70ZFP

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 700V 8.6A TO-220FP

制造商: STMicroelectronics
系列: SuperMESH™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 35W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存6,312

STP10NK80Z

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 9A TO-220

制造商: STMicroelectronics
系列: SuperMESH™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2180pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 190W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存13,356

STP10NK80ZFP

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 9A TO-220FP

制造商: STMicroelectronics
系列: SuperMESH™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2180pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存4,608

STP10NM50N

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 7A TO220

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 630mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 450pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 70W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存4,428

STP10NM60N

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 10A TO220

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 540pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 70W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存18,588

STP10NM60ND

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 8A TO-220

制造商: STMicroelectronics
系列: FDmesh™ II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 577pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 70W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存3,060

STP10NM65N

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 9A TO-220

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 850pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 90W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存6,642

STP10P6F6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P CH 60V 10A TO-220

制造商: STMicroelectronics
系列: DeepGATE™, STripFET™ VI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 48V
FET功能: -
功耗（最大值）: 30W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存16,512

STP110N10F7

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 100V 110A TO-220

制造商: STMicroelectronics
系列: DeepGATE™, STripFET™ VII
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 55A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5500pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存3,690

STP110N55F6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 55V 110A TO-220

制造商: STMicroelectronics
系列: DeepGATE™, STripFET™ VI
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8350pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存10,104

STP110N7F6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 68V 110A TO220

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™ F6
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 68V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 55A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5850pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 176W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存13,182

STP110N8F6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 110A TO-220

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™ F6
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 55A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9130pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 200W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存23,280

STP110N8F7

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 80A TO-220

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 46.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3435pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 170W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存17,424

STP11N52K3

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 525V 10A TO-220

制造商: STMicroelectronics
系列: SuperMESH3™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 525V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 510mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存14,820

STP11N60DM2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ DM2
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 614pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存12,894

STP11N65M2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 7A TO-220AB

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ II Plus
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 670mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 85W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存6,066

STP11N65M5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 650V 9A TO-220

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ V
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 644pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 85W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存6,948

STP11NK40Z

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 400V 9A TO-220

制造商: STMicroelectronics
系列: SuperMESH™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 930pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存8,190

STP11NK40ZFP

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 400V 9A TO-220FP

制造商: STMicroelectronics
系列: SuperMESH™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 930pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 30W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存3,348

STP11NK50Z

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 10A TO-220

制造商: STMicroelectronics
系列: SuperMESH™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 520mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1390pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存5,004

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