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晶體管

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頁面 1822/2164
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型號
描述
庫存
數量
STB40N60M2
STB40N60M2

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: MDmesh™ II Plus
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 600V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 34A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 57nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±25V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2500pF @ 100V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 250W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存16,194
STB40NF10LT4
STB40NF10LT4

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ II
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 40A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 64nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±15V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2300pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 150W (Tc)
  • 工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存13,212
STB40NF10T4
STB40NF10T4

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ II
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 50A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 28mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 80nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1780pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 150W (Tc)
  • 工作溫度: -50°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存3,834
STB40NF20
STB40NF20

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 200V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 40A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 45mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 75nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2500pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 160W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存6,480
STB40NS15T4
STB40NS15T4

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 40A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: MESH OVERLAY™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 150V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 40A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 110nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2420pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 300W (Tc)
  • 工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存3,654
STB41N40DM6AG
STB41N40DM6AG

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 400 V

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: *
  • FET類型: -
  • 技術: -
  • 漏極至源極電壓(Vdss): -
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): -
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): -
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: -
  • Vgs(th)(最大)@ ID: -
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): -
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: TO-263 (D²Pak)
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存2,484
STB42N60M2-EP
STB42N60M2-EP

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 34A EP D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: MDmesh™ M2-EP
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 600V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 34A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 87mOhm @ 17A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4.75V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 55nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±25V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2370pF @ 100V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 250W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存3,490
STB42N65M5
STB42N65M5

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: MDmesh™ V
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 650V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 33A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 79mOhm @ 16.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 100nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±25V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 4650pF @ 100V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 190W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存23,652
STB43N60DM2
STB43N60DM2

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET NCH 600V 34A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: MDmesh™ DM2
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 600V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 34A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 93mOhm @ 17A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 56nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±25V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2500pF @ 100V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 250W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存2,142
STB43N65M5
STB43N65M5

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 42A

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: Automotive, AEC-Q101, MDmesh™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 650V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 42A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 100nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±25V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 4400pF @ 100V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 250W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存25,014
STB45N30M5
STB45N30M5

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

NCHANNEL 300 V 0.037 OHM TYP. 53

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: *
  • FET類型: -
  • 技術: -
  • 漏極至源極電壓(Vdss): -
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): -
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): -
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: -
  • Vgs(th)(最大)@ ID: -
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): -
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263)
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存7,812
STB45N40DM2AG
STB45N40DM2AG

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 400V 38A

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 400V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 38A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 72mOhm @ 19A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 56nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±25V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2600pF @ 100V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 250W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存26,646
STB45N50DM2AG
STB45N50DM2AG

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 35A

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 500V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 35A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 84mOhm @ 17.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 57nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±25V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2600pF @ 100V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 250W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存13,584
STB45N60DM2AG
STB45N60DM2AG

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 34A

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 600V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 34A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 90mOhm @ 17A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 56nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±25V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2500pF @ 100V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 250W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存8,514
STB45N65M5
STB45N65M5

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N CH 650V 35A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: MDmesh™ V
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 650V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 35A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 78mOhm @ 19.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 91nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±25V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 3375pF @ 100V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 210W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存4,824
STB45NF06
STB45NF06

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 38A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ II
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 38A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 28mOhm @ 19A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 58nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 980pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 80W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存8,676
STB45NF06T4
STB45NF06T4

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 38A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ II
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 38A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 28mOhm @ 19A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 58nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 980pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 80W (Tc)
  • 工作溫度: 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
庫存8,064
STB46N30M5
STB46N30M5

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 300V 53A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ V
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 300V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 53A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 40mOhm @ 26.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 95nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±25V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 4240pF @ 100V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 250W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存21,084
STB46NF30
STB46NF30

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 300V 42A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ II
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 300V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 42A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 90nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 3200pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 300W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存14,220
STB47N50DM6AG
STB47N50DM6AG

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 500 V

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: *
  • FET類型: -
  • 技術: -
  • 漏極至源極電壓(Vdss): -
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): -
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): -
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: -
  • Vgs(th)(最大)@ ID: -
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): -
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263)
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存6,876
STB47N60DM6AG
STB47N60DM6AG

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: *
  • FET類型: -
  • 技術: -
  • 漏極至源極電壓(Vdss): -
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): -
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): -
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: -
  • Vgs(th)(最大)@ ID: -
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): -
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263)
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存8,082
STB4N62K3
STB4N62K3

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 620V 3.8A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: SuperMESH3™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 620V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 3.8A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.95Ohm @ 1.9A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4.5V @ 50µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 14nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 450pF @ 50V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 70W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存7,038
STB4NK60Z-1
STB4NK60Z-1

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: SuperMESH™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 600V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 4A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4.5V @ 50µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 26nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 510pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 70W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: I2PAK
  • 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
庫存17,940
STB4NK60ZT4
STB4NK60ZT4

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: SuperMESH™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 600V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 4A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4.5V @ 50µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 26nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 510pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 70W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存3,490
STB50N25M5
STB50N25M5

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 28A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: MDmesh™ V
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 250V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 28A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 65mOhm @ 14A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 5V @ 100µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 44nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±25V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1700pF @ 50V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 110W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存2,070
STB50NE10T4
STB50NE10T4

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 50A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 166nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 6000pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 180W (Tc)
  • 工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存6,894
STB50NF25
STB50NF25

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 250V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 45A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 68.2nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2670pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 160W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存6,876
STB55NF03LT4
STB55NF03LT4

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CHAN 55A 30V TO260

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: *
  • FET類型: -
  • 技術: -
  • 漏極至源極電壓(Vdss): -
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): -
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): -
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: -
  • Vgs(th)(最大)@ ID: -
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): -
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 供應商設備包裝: -
  • 包裝/箱: -
庫存2,034
STB55NF06LT4
STB55NF06LT4

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ II
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 55A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V, 5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 18mOhm @ 27.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4.7V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 37nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±16V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1700pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 95W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存52,380
STB55NF06T4
STB55NF06T4

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ II
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 50A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 18mOhm @ 27.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 60nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1300pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 110W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存3,528