晶體管

型號	描述	庫存
FDB6670AL ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2440pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 68W (Tc) 工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263AB 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,610
FDB6670AS ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 62A TO-263AB 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 62A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 31A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 15V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1570pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 62.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263AB 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存8,388
FDB6690S ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 42A TO-263AB 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench®, SyncFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 42A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.5mOhm @ 21A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1238pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 48W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263AB 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,726
FDB7030BL ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 60A TO-263AB 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1760pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 60W (Tc) 工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263AB 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,322
FDB7030L ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2440pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 68W (Tc) 工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263AB 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存8,136
FDB7030L_L86Z ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 80A TO-263AB 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2440pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 68W (Tc) 工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263AB 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,402
FDB8030L ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10500pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 187W (Tc) 工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263AB 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存5,310
FDB8132 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 350nC @ 13V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14100pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 341W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,970
FDB8132_F085 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 350nC @ 13V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14100pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 341W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,678
FDB8160 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 243nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11825pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 254W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263AB 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,322
FDB8160-F085 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 243nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11825pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 254W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263AB 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存5,580
FDB8441 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta), 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 280nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263AB 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存229,884
FDB8441-F085 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta), 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 280nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263AB 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,700
FDB8442 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta), 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 235nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 254W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263AB 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存4,320
FDB8442-F085 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 235nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 254W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263AB 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,988
FDB8443 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 120A TO-263AB 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta), 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 185nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9310pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 188W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263AB 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,650
FDB8443-F085 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 25A TO-263AB 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 185nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9310pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 188W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263AB 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,074
FDB8444 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 70A TO-263AB 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 128nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8035pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 167W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263AB 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,816
FDB8444-F085 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 128nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8035pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 167W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263AB 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,034
FDB8444TS ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK-5 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta), 70A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 70A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 338nC @ 20V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8410pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 181W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263-5 包裝/箱: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB	庫存3,096
FDB8445 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3805pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 92W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263AB 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存4,356
FDB8445-F085 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3805pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 92W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263AB 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,002
FDB8447L ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 15A D2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2620pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 60W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263AB 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存21,336
FDB8453LZ ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 16.1A TO-263AB 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16.1A (Ta), 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 17.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 66nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3545pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 66W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263AB 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,902
FDB86102LZ ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.3A (Ta), 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 8.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1275pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263AB 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,564
FDB86135 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V D2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 116nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7295pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.4W (Ta), 227W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,834
FDB86360-F085 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 110A TO263 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 253nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 333W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,074
FDB86360_SN00307 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 253nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 333W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存5,274
FDB86363-F085 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 110A TO263 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10000pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存17,160
FDB86366-F085 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 110A TO263 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 112nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6280pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 176W (Tj) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,924

FDB6670AL

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2440pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 68W (Tc)
工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263AB
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,610

FDB6670AS

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 62A TO-263AB

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 62A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 31A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 15V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1570pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 62.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263AB
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存8,388

FDB6690S

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 42A TO-263AB

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®, SyncFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 42A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.5mOhm @ 21A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1238pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 48W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263AB
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,726

FDB7030BL

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 60A TO-263AB

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1760pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 60W (Tc)
工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263AB
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,322

FDB7030L

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2440pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 68W (Tc)
工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263AB
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存8,136

FDB7030L_L86Z

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 80A TO-263AB

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2440pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 68W (Tc)
工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263AB
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,402

FDB8030L

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10500pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 187W (Tc)
工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263AB
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存5,310

FDB8132

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 350nC @ 13V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14100pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 341W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,970

FDB8132_F085

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 350nC @ 13V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14100pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 341W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,678

FDB8160

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 243nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11825pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 254W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263AB
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,322

FDB8160-F085

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 243nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11825pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 254W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263AB
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存5,580

FDB8441

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta), 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 280nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263AB
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存229,884

FDB8441-F085

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta), 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 280nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263AB
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,700

FDB8442

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta), 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 235nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 254W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263AB
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存4,320

FDB8442-F085

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 235nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 254W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263AB
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,988

FDB8443

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 120A TO-263AB

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta), 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 185nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9310pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 188W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263AB
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,650

FDB8443-F085

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 25A TO-263AB

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 185nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9310pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 188W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263AB
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,074

FDB8444

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 70A TO-263AB

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 128nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8035pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 167W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263AB
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,816

FDB8444-F085

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 128nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8035pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 167W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263AB
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,034

FDB8444TS

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK-5

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta), 70A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 70A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 338nC @ 20V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8410pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 181W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263-5
包裝/箱: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB

庫存3,096

FDB8445

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3805pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 92W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263AB
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存4,356

FDB8445-F085

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3805pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 92W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263AB
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,002

FDB8447L

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 15A D2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2620pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 60W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263AB
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存21,336

FDB8453LZ

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 16.1A TO-263AB

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16.1A (Ta), 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 17.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 66nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3545pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 66W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263AB
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,902

FDB86102LZ

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.3A (Ta), 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1275pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263AB
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,564

FDB86135

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V D2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 116nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7295pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.4W (Ta), 227W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,834

FDB86360-F085

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 110A TO263

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 253nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 333W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,074

FDB86360_SN00307

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 253nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 333W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存5,274

FDB86363-F085

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 110A TO263

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10000pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存17,160

FDB86366-F085

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 110A TO263

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 112nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6280pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 176W (Tj)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,924

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