晶體管

型號	描述	庫存
DMTH10H005LCT Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 140A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 114nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3688pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 187W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存7,632
DMTH10H005SCT Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 140A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 111.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8474pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 187W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存7,776
DMTH10H009LPS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存3,726
DMTH10H009SPS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存3,312
DMTH10H010LCT Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET 100V 108A TO220AB 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 108A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2592pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.4W (Ta), 166W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存6,462
DMTH10H010LCTB-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 108A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2592pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.4W (Ta), 166W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存3,780
DMTH10H010LPS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.8A (Ta), 98.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.6mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2592pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W, 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI5060-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存4,950
DMTH10H010SCT Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 61V-100V TO220AB T 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4468pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 187W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存8,478
DMTH10H010SPS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.8A (Ta), 123A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4.468nF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI5060-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存4,266
DMTH10H010SPSQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.8A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4468pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 166W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI5060-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存7,524
DMTH10H015LK3-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET NCH 100V 52.5A TO252 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 52.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1871pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252-4L 包裝/箱: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD	庫存7,218
DMTH10H015LPS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.3A (Ta), 44A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1871pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta), 46W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI5060-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存8,208
DMTH10H015SPS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.4A (Ta), 50.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30.1nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2343pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 55W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI5060-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存5,040
DMTH10H015SPSQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.4A (Ta), 50.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30.1nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2343pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 55W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI5060-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存7,830
DMTH10H025LK3-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET NCH 100V TO252 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 51.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1477pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,272
DMTH10H025LK3Q-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 51.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1477pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,802
DMTH10H025LPS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存2,070
DMTH10H025LPSQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存4,410
DMTH10H025SK3-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1544pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,978
DMTH10H030LK3-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET NCH 100V 28A TO252 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1871pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252-4L 包裝/箱: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD	庫存7,452
DMTH10H4M5LPS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存5,418
DMTH3002LPS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET NCH 30V 100A POWERDI 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 77nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5000pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.2W (Ta), 136W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI5060-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存8,334
DMTH3004LFG-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 75A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2370pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI3333-8 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存2,556
DMTH3004LFG-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 75A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2370pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI3333-8 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存3,508
DMTH3004LFGQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 75A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2370pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI3333-8 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存5,076
DMTH3004LFGQ-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 75A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2370pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI3333-8 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存4,194
DMTH3004LK3-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 21A TO252 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta), 75A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V Vgs（最大）: +20V, -16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2370pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.9W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,632
DMTH3004LK3Q-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET NCH 30V 21A TO252 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta), 75A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V Vgs（最大）: +20V, -16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2370pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 107W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252-4L 包裝/箱: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD	庫存4,950
DMTH3004LPS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET NCH 30V 22A POWERDI 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta), 145A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43.7nC @ 10V Vgs（最大）: +20V, -16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2370pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 136W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI5060-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存2,574
DMTH3004LPSQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET NCH 30V 22A POWERDI 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta), 145A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43.7nC @ 15V Vgs（最大）: +20V, -16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2370pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 136W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI5060-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存5,706

DMTH10H005LCT

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 140A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 114nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3688pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 187W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存7,632

DMTH10H005SCT

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 140A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 111.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8474pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 187W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存7,776

DMTH10H009LPS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存3,726

DMTH10H009SPS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存3,312

DMTH10H010LCT

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET 100V 108A TO220AB

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 108A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2592pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.4W (Ta), 166W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存6,462

DMTH10H010LCTB-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 108A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2592pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.4W (Ta), 166W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存3,780

DMTH10H010LPS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.8A (Ta), 98.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.6mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2592pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W, 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI5060-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存4,950

DMTH10H010SCT

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 61V-100V TO220AB T

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4468pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 187W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存8,478

DMTH10H010SPS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.8A (Ta), 123A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4.468nF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI5060-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存4,266

DMTH10H010SPSQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.8A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4468pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 166W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI5060-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存7,524

DMTH10H015LK3-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET NCH 100V 52.5A TO252

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 52.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1871pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252-4L
包裝/箱: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

庫存7,218

DMTH10H015LPS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.3A (Ta), 44A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1871pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta), 46W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI5060-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存8,208

DMTH10H015SPS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.4A (Ta), 50.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30.1nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2343pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 55W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI5060-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存5,040

DMTH10H015SPSQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.4A (Ta), 50.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30.1nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2343pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 55W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI5060-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存7,830

DMTH10H025LK3-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET NCH 100V TO252

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 51.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1477pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,272

DMTH10H025LK3Q-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 51.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1477pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,802

DMTH10H025LPS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存2,070

DMTH10H025LPSQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存4,410

DMTH10H025SK3-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1544pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,978

DMTH10H030LK3-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET NCH 100V 28A TO252

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1871pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252-4L
包裝/箱: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

庫存7,452

DMTH10H4M5LPS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存5,418

DMTH3002LPS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET NCH 30V 100A POWERDI

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 77nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5000pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.2W (Ta), 136W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI5060-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存8,334

DMTH3004LFG-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 75A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2370pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI3333-8
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存2,556

DMTH3004LFG-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 75A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2370pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI3333-8
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存3,508

DMTH3004LFGQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 75A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2370pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI3333-8
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存5,076

DMTH3004LFGQ-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 75A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2370pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI3333-8
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存4,194

DMTH3004LK3-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 21A TO252

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta), 75A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs（最大）: +20V, -16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2370pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.9W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,632

DMTH3004LK3Q-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET NCH 30V 21A TO252

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta), 75A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs（最大）: +20V, -16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2370pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 107W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252-4L
包裝/箱: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

庫存4,950

DMTH3004LPS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta), 145A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43.7nC @ 10V
Vgs（最大）: +20V, -16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2370pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 136W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI5060-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存2,574

DMTH3004LPSQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta), 145A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43.7nC @ 15V
Vgs（最大）: +20V, -16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2370pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 136W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI5060-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存5,706

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