晶體管

型號	描述	庫存
BUK9E15-60E,127 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 54A I2PAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 54A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.5nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2651pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 96W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存5,724
BUK9E1R6-30E,127 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 113nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16150pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 349W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存2,970
BUK9E1R8-40E,127 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 349W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存7,812
BUK9E1R9-40E,127 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V I2PAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存3,762
BUK9E2R3-40E,127 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 87.8nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13160pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 293W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存4,266
BUK9E2R8-60E,127 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17450pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 349W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存6,138
BUK9E3R2-40B,127 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 94nC @ 5V Vgs（最大）: ±15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10502pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存7,380
BUK9E3R2-40E,127 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 69.5nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9150pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 234W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存7,758
BUK9E3R7-60E,127 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 95nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13490pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 293W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存6,516
BUK9E4R4-40B,127 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 5V Vgs（最大）: ±15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7124pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 254W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存8,388
BUK9E4R4-80E,127 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 123nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17130pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 349W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存4,878
BUK9E4R9-60E,127 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 65nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9710pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 234W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存7,272
BUK9E6R1-100E,127 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.9mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 133nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17460pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 349W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存6,084
BUK9E8R5-40E,127 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.9nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 96W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存7,884
BUK9GTHP-55PJTR,51 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 28SOIC 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 28-SO 包裝/箱: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)	庫存6,966
BUK9J0R9-40HX Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 BUK9J0R9-40H/SOT1023/4 LEADS 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存5,850
BUK9M10-30EX Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 54A LFPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 54A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.8mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.2nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1249pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 55W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK33 包裝/箱: SOT-1210, 8-LFPAK33	庫存5,886
BUK9M11-40EX Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET 2N-CH 40V MLFPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 53A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.4nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1721pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 62W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK33 包裝/箱: SOT-1210, 8-LFPAK33	庫存3,526
BUK9M120-100EX Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 11.5A LFPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 119mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.05V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.8nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 882pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 44W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK33 包裝/箱: SOT-1210, 8-LFPAK33	庫存5,616
BUK9M12-60EX Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 54A LFPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 54A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2769pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 79W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK33 包裝/箱: SOT-1210, 8-LFPAK33	庫存3,888
BUK9M14-40EX Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 44A LFPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.3nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1211pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 55W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK33 包裝/箱: SOT-1210, 8-LFPAK33	庫存34,788
BUK9M15-60EX Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 47A LFPAK33 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 47A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.45V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2230pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 75W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK33 包裝/箱: SOT-1210, 8-LFPAK33	庫存13,362
BUK9M156-100EX Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 9.3A LFPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.4nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 695pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 36W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK33 包裝/箱: SOT-1210, 8-LFPAK33	庫存3,024
BUK9M17-30EX Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 37A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 725pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 44W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK33 包裝/箱: SOT-1210, 8-LFPAK33	庫存4,140
BUK9M19-60EX Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 38A LFPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.8nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1814pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 62W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK33 包裝/箱: SOT-1210, 8-LFPAK33	庫存3,924
BUK9M23-80EX Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 37A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2808pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 79W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK33 包裝/箱: SOT-1210, 8-LFPAK33	庫存2,448
BUK9M24-40EX Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.7nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 798pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 44W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK33 包裝/箱: SOT-1210, 8-LFPAK33	庫存15,498
BUK9M24-60EX Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 32A LFPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.4nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1469pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 55W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK33 包裝/箱: SOT-1210, 8-LFPAK33	庫存31,650
BUK9M28-80EX Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 33A LFPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.7nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2275pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 75W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK33 包裝/箱: SOT-1210, 8-LFPAK33	庫存4,302
BUK9M34-100EX Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 29A LFPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24.7nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2844pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 79W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK33 包裝/箱: SOT-1210, 8-LFPAK33	庫存3,726

BUK9E15-60E,127

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 54A I2PAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 54A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.5nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2651pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 96W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存5,724

BUK9E1R6-30E,127

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 113nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16150pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 349W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存2,970

BUK9E1R8-40E,127

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 349W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存7,812

BUK9E1R9-40E,127

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V I2PAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存3,762

BUK9E2R3-40E,127

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 87.8nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13160pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 293W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存4,266

BUK9E2R8-60E,127

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17450pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 349W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存6,138

BUK9E3R2-40B,127

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 94nC @ 5V
Vgs（最大）: ±15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10502pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存7,380

BUK9E3R2-40E,127

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 69.5nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9150pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 234W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存7,758

BUK9E3R7-60E,127

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 95nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13490pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 293W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存6,516

BUK9E4R4-40B,127

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 5V
Vgs（最大）: ±15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7124pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 254W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存8,388

BUK9E4R4-80E,127

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 123nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17130pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 349W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存4,878

BUK9E4R9-60E,127

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 65nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9710pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 234W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存7,272

BUK9E6R1-100E,127

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 133nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17460pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 349W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存6,084

BUK9E8R5-40E,127

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.9nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 96W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存7,884

BUK9GTHP-55PJTR,51

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 28SOIC

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 28-SO
包裝/箱: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

庫存6,966

BUK9J0R9-40HX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

BUK9J0R9-40H/SOT1023/4 LEADS

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存5,850

BUK9M10-30EX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 54A LFPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 54A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.2nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1249pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 55W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK33
包裝/箱: SOT-1210, 8-LFPAK33

庫存5,886

BUK9M11-40EX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET 2N-CH 40V MLFPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 53A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.4nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1721pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 62W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK33
包裝/箱: SOT-1210, 8-LFPAK33

庫存3,526

BUK9M120-100EX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 11.5A LFPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 119mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.05V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.8nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 882pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 44W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK33
包裝/箱: SOT-1210, 8-LFPAK33

庫存5,616

BUK9M12-60EX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 54A LFPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 54A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2769pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 79W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK33
包裝/箱: SOT-1210, 8-LFPAK33

庫存3,888

BUK9M14-40EX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 44A LFPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.3nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1211pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 55W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK33
包裝/箱: SOT-1210, 8-LFPAK33

庫存34,788

BUK9M15-60EX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 47A LFPAK33

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 47A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.45V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2230pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 75W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK33
包裝/箱: SOT-1210, 8-LFPAK33

庫存13,362

BUK9M156-100EX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 9.3A LFPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.4nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 695pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 36W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK33
包裝/箱: SOT-1210, 8-LFPAK33

庫存3,024

BUK9M17-30EX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 37A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 725pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 44W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK33
包裝/箱: SOT-1210, 8-LFPAK33

庫存4,140

BUK9M19-60EX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 38A LFPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.8nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1814pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 62W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK33
包裝/箱: SOT-1210, 8-LFPAK33

庫存3,924

BUK9M23-80EX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 37A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2808pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 79W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK33
包裝/箱: SOT-1210, 8-LFPAK33

庫存2,448

BUK9M24-40EX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.7nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 798pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 44W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK33
包裝/箱: SOT-1210, 8-LFPAK33

庫存15,498

BUK9M24-60EX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 32A LFPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.4nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1469pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 55W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK33
包裝/箱: SOT-1210, 8-LFPAK33

庫存31,650

BUK9M28-80EX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 33A LFPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.7nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2275pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 75W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK33
包裝/箱: SOT-1210, 8-LFPAK33

庫存4,302

BUK9M34-100EX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 29A LFPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24.7nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2844pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 79W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK33
包裝/箱: SOT-1210, 8-LFPAK33

庫存3,726

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