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IS61WV51216EEBLL-10B2LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 8Mb (512K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 48-TFBGA
• 供應商設備包裝: 48-TFBGA (6x8)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 8Mb (512K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 48-TFBGA
• 供應商設備包裝: 48-TFBGA (6x8)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 8Mb (512K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 48-TFBGA
• 供應商設備包裝: 48-TFBGA (6x8)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 8Mb (512K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 48-TFBGA
• 供應商設備包裝: 48-TFBGA (6x8)

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IS61WV51216EEBLL-10T2LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 8M PARALLEL 48TSOP I

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 8Mb (512K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 供應商設備包裝: 48-TSOP I

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 8M PARALLEL 48TSOP I

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 8Mb (512K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 供應商設備包裝: 48-TSOP I

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IS61WV51216EEBLL-10TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 8Mb (512K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 44-TSOP II

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IS61WV51232BLL-10BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 16M PARALLEL 90FBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 16Mb (512K x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 1.65V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

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IS61WV51232BLL-10BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 16M PARALLEL 90FBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 16Mb (512K x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 1.65V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

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IS61WV5128BLL-10BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 4Mb (512K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 36-TFBGA
• 供應商設備包裝: 36-TFBGA (6x8)

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IS61WV5128BLL-10BI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 4Mb (512K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 36-TFBGA
• 供應商設備包裝: 36-TFBGA (6x8)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 36MINIBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 4Mb (512K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 36-TFBGA
• 供應商設備包裝: 36-TFBGA (6x8)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 36MINIBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 4Mb (512K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 36-TFBGA
• 供應商設備包裝: 36-TFBGA (6x8)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 4Mb (512K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 1.65V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 36-SOJ

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IS61WV5128BLL-10KLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 4Mb (512K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 36-SOJ

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IS61WV5128BLL-10TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 4Mb (512K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 44-TSOP II

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IS61WV5128BLL-10TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 4Mb (512K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 44-TSOP II

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IS61WV5128BLS-25TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 4Mb (512K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 25ns
• 訪問時間: 25ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 44-TSOP II

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IS61WV5128BLS-25TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 4Mb (512K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 25ns
• 訪問時間: 25ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 44-TSOP II

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IS61WV5128EDBLL-10BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 4Mb (512K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 36-TFBGA
• 供應商設備包裝: 36-TFBGA (6x8)

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IS61WV5128EDBLL-10BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 4Mb (512K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 36-TFBGA
• 供應商設備包裝: 36-TFBGA (6x8)

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IS61WV5128EDBLL-10KLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 4Mb (512K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 36-SOJ

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IS61WV5128EDBLL-10KLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 4Mb (512K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 36-SOJ

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IS61WV5128EDBLL-10TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 4Mb (512K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 44-TSOP II

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IS61WV5128EDBLL-10TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 4Mb (512K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 44-TSOP II

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IS61WV6416BLL-12BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 1M PARALLEL 48MINIBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 1Mb (64K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 12ns
• 訪問時間: 12ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 48-TFBGA
• 供應商設備包裝: 48-miniBGA (6x8)

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IS61WV6416BLL-12BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 1M PARALLEL 48MINIBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 1Mb (64K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 12ns
• 訪問時間: 12ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 48-TFBGA
• 供應商設備包裝: 48-miniBGA (6x8)

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IS61WV6416BLL-12KLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 1Mb (64K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 12ns
• 訪問時間: 12ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 44-SOJ

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IS61WV6416BLL-12KLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 1Mb (64K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 12ns
• 訪問時間: 12ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 44-SOJ

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 1Mb (64K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 12ns
• 訪問時間: 12ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 44-TSOP II

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