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IS61NLP51236-250B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 250MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 2.6ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)

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IS61NLP51236-250B3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 250MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 2.6ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)

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IS61NLP51236-250TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 250MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 2.6ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)

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IS61NLP51236-250TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 250MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 2.6ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)

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IS61NLP51236B-200B3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)

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IS61NLP51236B-200B3LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)

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IS61NLP51236B-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-LQFP (14x20)

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IS61NLP51236B-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-LQFP (14x20)

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IS61NLP6432A-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 2Mb (64K x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.1ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)

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IS61NLP6432A-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 2Mb (64K x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.1ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)

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IS61NVF102418-6.5B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 18Mb (1M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6.5ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)

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IS61NVF102418-6.5B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 18Mb (1M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6.5ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)

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IS61NVF102418-6.5B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 18Mb (1M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6.5ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)

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IS61NVF102418-6.5B3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 18Mb (1M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6.5ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)

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IS61NVF102418-7.5B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 18Mb (1M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 117MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 7.5ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)

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IS61NVF102418-7.5B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 18Mb (1M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 117MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 7.5ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)

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IS61NVF25672-6.5B1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 18Mb (256K x 72)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6.5ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 209-BGA
• 供應商設備包裝: 209-LFBGA (14x22)

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IS61NVF25672-6.5B1I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 18Mb (256K x 72)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6.5ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 209-BGA
• 供應商設備包裝: 209-LFBGA (14x22)

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IS61NVF25672-6.5B1I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 18Mb (256K x 72)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6.5ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 209-BGA
• 供應商設備包裝: 209-LFBGA (14x22)

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IS61NVF25672-6.5B1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 18Mb (256K x 72)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6.5ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 209-BGA
• 供應商設備包裝: 209-LFBGA (14x22)

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IS61NVF25672-7.5B1I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 18Mb (256K x 72)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 117MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 7.5ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 209-BGA
• 供應商設備包裝: 209-LFBGA (14x22)

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IS61NVF25672-7.5B1I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 18Mb (256K x 72)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 117MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 7.5ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 209-BGA
• 供應商設備包裝: 209-LFBGA (14x22)

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IS61NVF51236-6.5B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6.5ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)

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IS61NVF51236-6.5B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6.5ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)

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IS61NVF51236-6.5B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6.5ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)

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IS61NVF51236-6.5B3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6.5ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)

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IS61NVF51236-6.5TQL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6.5ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6.5ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)

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IS61NVF51236-7.5B3

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內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 117MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 7.5ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)

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IS61NVF51236-7.5B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 117MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 7.5ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)

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