內存IC

IS61LV12824-10BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 3M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 3Mb (128K x 24)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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IS61LV12824-10BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 3M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 3Mb (128K x 24)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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IS61LV12824-10B-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 3M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 3Mb (128K x 24)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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IS61LV12824-10TQ

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 3Mb (128K x 24)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)

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IS61LV12824-10TQI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 3Mb (128K x 24)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)

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IS61LV12824-10TQI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 3Mb (128K x 24)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)

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IS61LV12824-10TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 3Mb (128K x 24)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)

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IS61LV12824-10TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 3Mb (128K x 24)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)

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IS61LV12824-10TQ-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 3Mb (128K x 24)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)

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IS61LV12824-8BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 3M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 3Mb (128K x 24)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 8ns
• 訪問時間: 8ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.63V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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IS61LV12824-8BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 3M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 3Mb (128K x 24)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 8ns
• 訪問時間: 8ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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IS61LV12824-8TQ

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 3Mb (128K x 24)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 8ns
• 訪問時間: 8ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)

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IS61LV12824-8TQ-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 3Mb (128K x 24)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 8ns
• 訪問時間: 8ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)

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IS61LV256-12TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 256Kb (32K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 12ns
• 訪問時間: 12ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
• 供應商設備包裝: 28-TSOP I

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IS61LV256-15TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 256Kb (32K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 15ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
• 供應商設備包裝: 28-TSOP I

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IS61LV25616AL-10BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 48TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 4Mb (256K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 48-TFBGA
• 供應商設備包裝: 48-miniBGA (8x10)

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IS61LV25616AL-10BI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 48TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 4Mb (256K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 48-TFBGA
• 供應商設備包裝: 48-miniBGA (8x10)

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IS61LV25616AL-10BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 48TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 4Mb (256K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 48-TFBGA
• 供應商設備包裝: 48-miniBGA (8x10)

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IS61LV25616AL-10BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 48TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 4Mb (256K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 48-TFBGA
• 供應商設備包裝: 48-miniBGA (8x10)

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IS61LV25616AL-10K

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 4Mb (256K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 44-SOJ

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IS61LV25616AL-10KLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 4Mb (256K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 44-SOJ

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IS61LV25616AL-10KLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 4Mb (256K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 44-SOJ

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IS61LV25616AL-10K-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 4Mb (256K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 44-SOJ

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IS61LV25616AL-10LQI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 44LQFP

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 4Mb (256K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-LQFP
• 供應商設備包裝: 44-LQFP (10x10)

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IS61LV25616AL-10T

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 4Mb (256K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 44-TSOP II

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IS61LV25616AL-10TI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 4Mb (256K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 44-TSOP II

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IS61LV25616AL-10TI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 4Mb (256K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 44-TSOP II

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IS61LV25616AL-10TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 4Mb (256K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 44-TSOP II

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IS61LV25616AL-10TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 4Mb (256K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 44-TSOP II

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IS61LV25616AL-10TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 4Mb (256K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 44-TSOP II

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