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IS45S32400F-7TLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 128Mb (4M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 86-TSOP II

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (32M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (32M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (32M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 86-TSOP II

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (32M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 86-TSOP II

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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (32M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

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內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (32M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

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IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (32M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 86-TSOP II

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內存

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (32M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 86-TSOP II

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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (32M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (32M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

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IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (32M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 86-TSOP II

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IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (32M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 86-TSOP II

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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (32M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (32M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

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IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (32M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 86-TSOP II

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IS45S32800J-7TLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (32M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 86-TSOP II

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: Automotive, AEC-Q100
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile
• 內存大小: 128Mb (8M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: Automotive, AEC-Q100
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile
• 內存大小: 128Mb (8M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: Automotive, AEC-Q100
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile
• 內存大小: 128Mb (8M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: Automotive, AEC-Q100
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile
• 內存大小: 128Mb (8M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: Automotive, AEC-Q100
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile
• 內存大小: 128Mb (8M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: Automotive, AEC-Q100
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile
• 內存大小: 128Mb (8M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)

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IS45VM16800H-75BLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: Automotive, AEC-Q100
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile
• 內存大小: 128Mb (8M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)

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IS45VM16800H-75BLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: Automotive, AEC-Q100
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile
• 內存大小: 128Mb (8M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 84LFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 2Gb (128M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 450ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-LFBGA
• 供應商設備包裝: 84-LFBGA (10.5x13.5)

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IS46DR16128A-3DBLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 84LFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 2Gb (128M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 450ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-LFBGA
• 供應商設備包裝: 84-LFBGA (10.5x13.5)

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IS46DR16128A-3DBLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 84LFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 2Gb (128M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 450ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-LFBGA
• 供應商設備包裝: 84-LFBGA (10.5x13.5)

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IS46DR16128A-3DBLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 84LFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 2Gb (128M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 450ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-LFBGA
• 供應商設備包裝: 84-LFBGA (10.5x13.5)

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IS46DR16128C-3DBLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 2Gb (128M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 450ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
• 供應商設備包裝: 84-TWBGA (8x12.5)

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