內存IC

IS43LR32800F-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
• 內存大小: 256Mb (8M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
• 內存大小: 256Mb (8M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
• 內存大小: 256Mb (8M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
• 內存大小: 256Mb (8M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
• 內存大小: 256Mb (8M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
• 內存大小: 256Mb (8M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
• 內存大小: 256Mb (8M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

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IS43QR16256A-083RBL

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IC DRAM 4G PARALLEL 96BGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR4
• 內存大小: 4Gb (256M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 1.2GHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.14V ~ 1.26V
• 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 96-TFBGA
• 供應商設備包裝: 96-TWBGA (9x13)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 96BGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR4
• 內存大小: 4Gb (256M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 1.2GHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.14V ~ 1.26V
• 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 96-TFBGA
• 供應商設備包裝: 96-TWBGA (9x13)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR4
• 內存大小: 4Gb (256M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 1.2GHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.14V ~ 1.26V
• 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 96-TFBGA
• 供應商設備包裝: 96-TWBGA (9x13)

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IS43QR16256A-083RBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR4
• 內存大小: 4Gb (256M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 1.2GHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.14V ~ 1.26V
• 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 96-TFBGA
• 供應商設備包裝: 96-TWBGA (9x13)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR4
• 內存大小: 4Gb (256M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 1.066GHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.14V ~ 1.26V
• 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 96-TFBGA
• 供應商設備包裝: 96-TWBGA (9x13)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 96BGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR4
• 內存大小: 4Gb (256M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 1.05GHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.14V ~ 1.26V
• 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 96-TFBGA
• 供應商設備包裝: 96-TWBGA (9x13)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR4
• 內存大小: 4Gb (256M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 1.066GHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.14V ~ 1.26V
• 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 96-TFBGA
• 供應商設備包裝: 96-TWBGA (9x13)

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IS43QR16256A-093PBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR4
• 內存大小: 4Gb (256M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 1.066GHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.14V ~ 1.26V
• 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 96-TFBGA
• 供應商設備包裝: 96-TWBGA (9x13)

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IS43QR16256B-083RBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

4G DDR4 256MX16 BGA(96)

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR4
• 內存大小: 4Gb (256M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 1.2GHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.14V ~ 1.26V
• 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 96-BGA
• 供應商設備包裝: 96-BGA

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IS43QR16256B-083RBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

4G DDR4 256MX16 BGA(96)

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR4
• 內存大小: 4Gb (256M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 1.2GHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.14V ~ 1.26V
• 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 96-BGA
• 供應商設備包裝: 96-BGA

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IS43R16160B-5TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP II

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IS43R16160B-5TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP II

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IS43R16160B-5TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP II

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IS43R16160B-6TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP II

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IS43R16160B-6TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP II

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IS43R16160B-6TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP II

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IS43R16160B-6TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP II

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IS43R16160D-5BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x13)

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IS43R16160D-5BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x13)

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IS43R16160D-5BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x13)

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IS43R16160D-5BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 60-TFBGA
• 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x13)

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IS43R16160D-5TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP II

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 700ps
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 66-TSOP II

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