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描述
庫存
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IS42SM16800H-75BI
IS42SM16800H-75BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 128Mb (8M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 6ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)
庫存4,122
IS42SM16800H-75BI-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 128Mb (8M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 6ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)
庫存7,506
IS42SM16800H-75BLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 128Mb (8M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 6ns
  • 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)
庫存7,092
IS42SM16800H-75BLI-TR
IS42SM16800H-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 128Mb (8M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 6ns
  • 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)
庫存6,876
IS42SM32100C-6BLI
IS42SM32100C-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 32M PARALLEL 54TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 32Mb (1M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.5ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)
庫存2,052
IS42SM32100C-6BLI-TR
IS42SM32100C-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 32M PARALLEL 54TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 32Mb (1M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.5ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)
庫存6,876
IS42SM32100D-6BLI
IS42SM32100D-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 32M PARALLEL 54TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 32Mb (1M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.5ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)
庫存7,146
IS42SM32100D-6BLI-TR
IS42SM32100D-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 32M PARALLEL 54TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 32Mb (1M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.5ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)
庫存6,750
IS42SM32160C-75BL
IS42SM32160C-75BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 512Mb (16M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
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  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-LFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-WBGA (8x13)
庫存8,064
IS42SM32160C-75BLI
IS42SM32160C-75BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 512Mb (16M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-LFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-WBGA (8x13)
庫存6,588
IS42SM32160C-75BLI-TR
IS42SM32160C-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 512Mb (16M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-LFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-WBGA (8x13)
庫存4,734
IS42SM32160C-75BL-TR
IS42SM32160C-75BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 512Mb (16M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-LFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-WBGA (8x13)
庫存7,866
IS42SM32160C-7BLI
IS42SM32160C-7BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 512Mb (16M x 32)
  • 內存接口: Parallel
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  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-LFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-WBGA (8x13)
庫存6,282
IS42SM32160C-7BLI-TR
IS42SM32160C-7BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 512Mb (16M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-LFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-WBGA (8x13)
庫存3,690
IS42SM32160E-6BLI
IS42SM32160E-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 512Mb (16M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.5ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)
庫存7,578
IS42SM32160E-6BLI-TR
IS42SM32160E-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 512Mb (16M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.5ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)
庫存2,898
IS42SM32160E-75BL
IS42SM32160E-75BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 512Mb (16M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 6ns
  • 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)
庫存3,348
IS42SM32160E-75BLI
IS42SM32160E-75BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 512Mb (16M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 6ns
  • 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)
庫存3,816
IS42SM32160E-75BLI-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 512Mb (16M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 6ns
  • 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)
庫存3,690
IS42SM32160E-75BL-TR
IS42SM32160E-75BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 512Mb (16M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 6ns
  • 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)
庫存7,038
IS42SM32200K-6BLI
IS42SM32200K-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 64Mb (2M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.5ns
  • 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)
庫存7,866
IS42SM32200K-6BLI-TR
IS42SM32200K-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 64Mb (2M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.5ns
  • 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)
庫存6,966
IS42SM32200K-75BLI
IS42SM32200K-75BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 64Mb (2M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 6ns
  • 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)
庫存3,204
IS42SM32200K-75BLI-TR
IS42SM32200K-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 64Mb (2M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 6ns
  • 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)
庫存5,976
IS42SM32200M-6BLI
IS42SM32200M-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 64Mb (2M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.5ns
  • 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)
庫存7,524
IS42SM32200M-6BLI-TR
IS42SM32200M-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 64Mb (2M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.5ns
  • 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)
庫存6,714
IS42SM32200M-75BLI
IS42SM32200M-75BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 64Mb (2M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 6ns
  • 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)
庫存2,052
IS42SM32200M-75BLI-TR
IS42SM32200M-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 64Mb (2M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 6ns
  • 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)
庫存3,762
IS42SM32400G-6BLI
IS42SM32400G-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 128Mb (4M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.5ns
  • 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)
庫存8,208
IS42SM32400G-6BLI-TR
IS42SM32400G-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 128Mb (4M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.5ns
  • 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)
庫存8,838