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IS42S16160B-7BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54LFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-LFBGA
• 供應商設備包裝: 54-LFBGA (8x13)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54LFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-LFBGA
• 供應商設備包裝: 54-LFBGA (8x13)

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IS42S16160B-7T

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 54-TSOP II

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內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 54-TSOP II

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內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 54-TSOP II

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 54-TSOP II

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內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 54-TSOP II

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 54-TSOP II

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IS42S16160B-7TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 54-TSOP II

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IS42S16160B-7T-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 54-TSOP II

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IS42S16160D-6BL

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IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x13)

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IS42S16160D-6BLI

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內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x13)

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IS42S16160D-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x13)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x13)

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IS42S16160D-6TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 54-TSOP II

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IS42S16160D-6TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 54-TSOP II

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 54-TSOP II

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IS42S16160D-6TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 54-TSOP II

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IS42S16160D-75EBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x13)

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IS42S16160D-75EBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x13)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x13)

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IS42S16160D-75EBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x13)

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IS42S16160D-75ETL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 54-TSOP II

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IS42S16160D-75ETLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 54-TSOP II

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IS42S16160D-75ETLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 54-TSOP II

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IS42S16160D-75ETL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 54-TSOP II

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IS42S16160D-7B

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內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x13)

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IS42S16160D-7BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x13)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x13)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
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• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x13)

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