Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

內存IC

記錄 47,332
頁面 800/1578
圖片
型號
描述
庫存
數量
IDT71V65603S100PFI
IDT71V65603S100PFI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 9Mb (256K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存4,680
IDT71V65603S100PFI8
IDT71V65603S100PFI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 9Mb (256K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存7,488
IDT71V65603S133PF
IDT71V65603S133PF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 9Mb (256K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 4.2ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存8,388
IDT71V65603S133PF8
IDT71V65603S133PF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 9Mb (256K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 4.2ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存4,986
IDT71V65603S133PFI
IDT71V65603S133PFI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 9Mb (256K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 4.2ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存4,410
IDT71V65603S133PFI8
IDT71V65603S133PFI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 9Mb (256K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 4.2ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存2,412
IDT71V65603S150PF
IDT71V65603S150PF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 9Mb (256K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 150MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.8ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存2,700
IDT71V65603S150PF8
IDT71V65603S150PF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 9Mb (256K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 150MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.8ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存8,172
IDT71V65603S150PFI
IDT71V65603S150PFI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 9Mb (256K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 150MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.8ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存4,500
IDT71V65603S150PFI8
IDT71V65603S150PFI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 9Mb (256K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 150MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.8ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存6,444
IDT71V65603ZS133PF
IDT71V65603ZS133PF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 9Mb (256K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 4.2ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存3,330
IDT71V65603ZS133PF8
IDT71V65603ZS133PF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 9Mb (256K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 4.2ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存3,580
IDT71V65703S75PF
IDT71V65703S75PF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 9Mb (256K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 7.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存3,636
IDT71V65703S75PF8
IDT71V65703S75PF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 9Mb (256K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 7.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存3,186
IDT71V65703S80PF
IDT71V65703S80PF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 9Mb (256K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 8ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存3,888
IDT71V65703S80PF8
IDT71V65703S80PF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 9Mb (256K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 8ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存5,922
IDT71V65703S80PFI
IDT71V65703S80PFI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 9Mb (256K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 8ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存3,654
IDT71V65703S80PFI8
IDT71V65703S80PFI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 9Mb (256K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 8ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存6,858
IDT71V65703S85PF
IDT71V65703S85PF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 9Mb (256K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 8.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存1,174
IDT71V65703S85PF8
IDT71V65703S85PF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 9Mb (256K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 8.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存8,406
IDT71V65703S85PFI
IDT71V65703S85PFI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 9Mb (256K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 8.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存3,258
IDT71V65703S85PFI8
IDT71V65703S85PFI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 9Mb (256K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 8.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存2,016
IDT71V65802S100BG
IDT71V65802S100BG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 9Mb (512K x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存4,266
IDT71V65802S100BG8
IDT71V65802S100BG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 9Mb (512K x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存7,722
IDT71V65802S100BQ
IDT71V65802S100BQ

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 9Mb (512K x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存6,930
IDT71V65802S100BQ8
IDT71V65802S100BQ8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 9Mb (512K x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存7,272
IDT71V65802S100PF
IDT71V65802S100PF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 9Mb (512K x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存6,498
IDT71V65802S100PF8
IDT71V65802S100PF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 9Mb (512K x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存7,560
IDT71V65802S100PFG
IDT71V65802S100PFG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 9Mb (512K x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存2,034
IDT71V65802S100PFG8
IDT71V65802S100PFG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 9Mb (512K x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存8,946