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IDT71V35761SA166BQI
IDT71V35761SA166BQI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存2,700
IDT71V35761SA166BQI8
IDT71V35761SA166BQI8

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內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存7,344
IDT71V35761SA183BQ
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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 183MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.3ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存5,778
IDT71V35761SA183BQ8
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 183MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.3ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存4,086
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IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 183MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.3ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存2,340
IDT71V35761SA183BQI8
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內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 183MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.3ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存3,708
IDT71V35761SA200BQ
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存3,654
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IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存4,950
IDT71V35761SA200BQI
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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存5,094
IDT71V35761SA200BQI8
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存8,496
IDT71V35761YS166PF
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存3,906
IDT71V35761YS200PF
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存7,164
IDT71V35761YSA166BQ
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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存8,442
IDT71V35761YSA166BQ8
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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存8,082
IDT71V35761YSA166BQI
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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存8,244
IDT71V35761YSA166BQI8
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存7,578
IDT71V35761YSA183BQ
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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 183MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.3ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存7,578
IDT71V35761YSA183BQ8
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 183MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.3ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存3,400
IDT71V35761YSA183BQI
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 183MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.3ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存7,380
IDT71V35761YSA183BQI8
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 183MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.3ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存2,250
IDT71V35761YSA200BQ
IDT71V35761YSA200BQ

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存3,258
IDT71V35761YSA200BQ8
IDT71V35761YSA200BQ8

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存7,434
IDT71V35761YSA200BQI
IDT71V35761YSA200BQI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存5,976
IDT71V35761YSA200BQI8
IDT71V35761YSA200BQI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存8,190
IDT71V3576S133PF
IDT71V3576S133PF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 4.2ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存2,862
IDT71V3576S133PF8
IDT71V3576S133PF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 4.2ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存3,600
IDT71V3576S133PFI
IDT71V3576S133PFI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 4.2ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存8,190
IDT71V3576S133PFI8
IDT71V3576S133PFI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 4.2ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存4,860
IDT71V3576S150PF
IDT71V3576S150PF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 150MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.8ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存7,092
IDT71V3576S150PF8
IDT71V3576S150PF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 150MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.8ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存8,028