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描述
庫存
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IDT71V25761SA200BQ8
IDT71V25761SA200BQ8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存3,348
IDT71V25761SA200BQI
IDT71V25761SA200BQI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存3,132
IDT71V25761SA200BQI8
IDT71V25761SA200BQI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存8,226
IDT71V25761YS200PF
IDT71V25761YS200PF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)
庫存4,284
IDT71V25761YS200PF8
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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)
庫存6,156
IDT71V25761YSA166BG
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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存6,804
IDT71V25761YSA166BG8
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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存6,120
IDT71V25761YSA166BGI
IDT71V25761YSA166BGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存7,398
IDT71V25761YSA166BGI8
IDT71V25761YSA166BGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存4,608
IDT71V25761YSA166BQ
IDT71V25761YSA166BQ

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存2,538
IDT71V25761YSA166BQ8
IDT71V25761YSA166BQ8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存7,596
IDT71V25761YSA166BQGI
IDT71V25761YSA166BQGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存4,752
IDT71V25761YSA166BQI
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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存2,520
IDT71V25761YSA166BQI8
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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存7,470
IDT71V25761YSA183BG
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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 183MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存3,636
IDT71V25761YSA183BG8
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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 183MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存4,662
IDT71V25761YSA183BGI
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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 183MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存2,304
IDT71V25761YSA183BGI8
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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 183MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存4,176
IDT71V25761YSA183BQ
IDT71V25761YSA183BQ

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 183MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存5,958
IDT71V25761YSA183BQ8
IDT71V25761YSA183BQ8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 183MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存2,646
IDT71V25761YSA183BQI
IDT71V25761YSA183BQI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 183MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存4,626
IDT71V25761YSA183BQI8
IDT71V25761YSA183BQI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 183MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存2,394
IDT71V25761YSA200BG
IDT71V25761YSA200BG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存3,402
IDT71V25761YSA200BG8
IDT71V25761YSA200BG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存6,804
IDT71V25761YSA200BGI
IDT71V25761YSA200BGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存8,676
IDT71V25761YSA200BGI8
IDT71V25761YSA200BGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存5,346
IDT71V25761YSA200BQ
IDT71V25761YSA200BQ

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存2,790
IDT71V25761YSA200BQ8
IDT71V25761YSA200BQ8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存8,856
IDT71V25761YSA200BQI
IDT71V25761YSA200BQI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存6,606
IDT71V25761YSA200BQI8
IDT71V25761YSA200BQI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存5,994