內存IC

型號	描述	庫存
70V659S10BFG8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208FPBGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 4.5Mb (128K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 10ns 訪問時間: 10ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-FPBGA (15x15)	庫存2,178
70V659S10DR IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 4.5Mb (128K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 10ns 訪問時間: 10ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-BFQFP 供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)	庫存2,304
70V659S10DRG IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 4.5Mb (128K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 10ns 訪問時間: 10ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-BFQFP 供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)	庫存3,942
70V659S12BC IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 4.5Mb (128K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存4,500
70V659S12BC8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 4.5Mb (128K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存3,690
70V659S12BCGI IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 4.5Mb (128K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存2,268
70V659S12BCI IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 4.5Mb (128K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存7,596
70V659S12BCI8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 4.5Mb (128K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存2,574
70V659S12BF IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 4.5Mb (128K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)	庫存3,312
70V659S12BF8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 4.5Mb (128K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)	庫存4,662
70V659S12BFGI IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208FPBGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 4.5Mb (128K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-FPBGA (15x15)	庫存7,290
70V659S12BFGI8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208FPBGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 4.5Mb (128K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-FPBGA (15x15)	庫存6,912
70V659S12BFI IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 4.5Mb (128K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)	庫存4,050
70V659S12BFI8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 4.5Mb (128K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)	庫存5,364
70V659S12DR IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 4.5Mb (128K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-BFQFP 供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)	庫存8,496
70V659S12DRGI IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 4.5Mb (128K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-BFQFP 供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)	庫存8,730
70V659S12DRGI8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 4.5Mb (128K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-BFQFP 供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)	庫存3,312
70V659S12DRI IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 4.5Mb (128K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-BFQFP 供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)	庫存7,902
70V659S15BC IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 4.5Mb (128K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存6,912
70V659S15BC8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 4.5Mb (128K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存7,866
70V659S15BF IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 4.5Mb (128K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)	庫存4,266
70V659S15BF8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 4.5Mb (128K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)	庫存7,848
70V659S15DR IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous 內存大小: 4.5Mb (128K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-BFQFP 供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)	庫存7,884
70V7319S133BC IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 4.5Mb (256K x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 4.2ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存8,730
70V7319S133BC8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 4.5Mb (256K x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 4.2ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存8,226
70V7319S133BF IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 4.5Mb (256K x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 4.2ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)	庫存6,930
70V7319S133BF8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 4.5Mb (256K x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 4.2ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)	庫存4,140
70V7319S133BFI IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 4.5Mb (256K x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 4.2ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)	庫存3,528
70V7319S133BFI8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 4.5Mb (256K x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 4.2ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 208-LFBGA 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)	庫存2,124
70V7319S166BC IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous 內存大小: 4.5Mb (256K x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.6ns 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 256-LBGA 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)	庫存8,928

70V659S10BFG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208FPBGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 10ns
訪問時間: 10ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-FPBGA (15x15)

庫存2,178

70V659S10DR

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 10ns
訪問時間: 10ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-BFQFP
供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)

庫存2,304

70V659S10DRG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 10ns
訪問時間: 10ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-BFQFP
供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)

庫存3,942

70V659S12BC

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存4,500

70V659S12BC8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存3,690

70V659S12BCGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存2,268

70V659S12BCI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存7,596

70V659S12BCI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存2,574

70V659S12BF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

庫存3,312

70V659S12BF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

庫存4,662

70V659S12BFGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208FPBGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-FPBGA (15x15)

庫存7,290

70V659S12BFGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208FPBGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-FPBGA (15x15)

庫存6,912

70V659S12BFI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

庫存4,050

70V659S12BFI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

庫存5,364

70V659S12DR

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-BFQFP
供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)

庫存8,496

70V659S12DRGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-BFQFP
供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)

庫存8,730

70V659S12DRGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-BFQFP
供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)

庫存3,312

70V659S12DRI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-BFQFP
供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)

庫存7,902

70V659S15BC

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 15ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存6,912

70V659S15BC8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 15ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存7,866

70V659S15BF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 15ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

庫存4,266

70V659S15BF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 15ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

庫存7,848

70V659S15DR

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 15ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-BFQFP
供應商設備包裝: 208-PQFP (28x28)

庫存7,884

70V7319S133BC

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 4.5Mb (256K x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 4.2ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存8,730

70V7319S133BC8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 4.5Mb (256K x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 4.2ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存8,226

70V7319S133BF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 4.5Mb (256K x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 4.2ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

庫存6,930

70V7319S133BF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 4.5Mb (256K x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 4.2ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

庫存4,140

70V7319S133BFI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 4.5Mb (256K x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 4.2ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

庫存3,528

70V7319S133BFI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 4.5Mb (256K x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 4.2ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 208-LFBGA
供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

庫存2,124

70V7319S166BC

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小: 4.5Mb (256K x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.6ns
電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 256-LBGA
供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

庫存8,928

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