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描述
庫存
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MT48V8M16LFB4-8:G TR
MT48V8M16LFB4-8:G TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 128Mb (8M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 125MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)
庫存6,390
MT48V8M16LFB4-8 IT:G
MT48V8M16LFB4-8 IT:G

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 128Mb (8M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 125MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)
庫存6,012
MT48V8M16LFB4-8 IT:G TR
MT48V8M16LFB4-8 IT:G TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 128Mb (8M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 125MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)
庫存2,070
MT48V8M16LFB4-8 XT:G
MT48V8M16LFB4-8 XT:G

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 128Mb (8M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 125MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -20°C ~ 75°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)
庫存6,696
MT48V8M16LFB4-8 XT:G TR
MT48V8M16LFB4-8 XT:G TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 128Mb (8M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 125MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -20°C ~ 75°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)
庫存2,736
MT48V8M16LFF4-10:G
MT48V8M16LFF4-10:G

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 128Mb (8M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)
庫存7,074
MT48V8M16LFF4-10 IT:G
MT48V8M16LFF4-10 IT:G

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 128Mb (8M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)
庫存2,160
MT48V8M16LFF4-8:G
MT48V8M16LFF4-8:G

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 128Mb (8M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 125MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)
庫存6,408
MT48V8M16LFF4-8:G TR
MT48V8M16LFF4-8:G TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 128Mb (8M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 125MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)
庫存7,902
MT48V8M16LFF4-8 IT:G
MT48V8M16LFF4-8 IT:G

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 128Mb (8M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 125MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)
庫存3,600
MT48V8M16LFF4-8 IT:G TR
MT48V8M16LFF4-8 IT:G TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 128Mb (8M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 125MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)
庫存2,898
MT48V8M16LFF4-8 XT:G
MT48V8M16LFF4-8 XT:G

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 128Mb (8M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 125MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -20°C ~ 75°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)
庫存6,912
MT48V8M16LFF4-8 XT:G TR
MT48V8M16LFF4-8 XT:G TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 128Mb (8M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 125MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -20°C ~ 75°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)
庫存4,932
MT48V8M32LFB5-10
MT48V8M32LFB5-10

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 256Mb (8M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)
庫存6,192
MT48V8M32LFB5-10 IT
MT48V8M32LFB5-10 IT

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 256Mb (8M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)
庫存8,928
MT48V8M32LFB5-10 IT TR
MT48V8M32LFB5-10 IT TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 256Mb (8M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)
庫存6,156
MT48V8M32LFB5-10 TR
MT48V8M32LFB5-10 TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 256Mb (8M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)
庫存7,956
MT48V8M32LFB5-8 IT TR
MT48V8M32LFB5-8 IT TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 256Mb (8M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 125MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)
庫存5,130
MT48V8M32LFB5-8 TR
MT48V8M32LFB5-8 TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 256Mb (8M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 125MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)
庫存5,832
MT48V8M32LFF5-10
MT48V8M32LFF5-10

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 256Mb (8M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)
庫存2,466
MT48V8M32LFF5-10 IT
MT48V8M32LFF5-10 IT

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 256Mb (8M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)
庫存5,274
MT48V8M32LFF5-10 IT TR
MT48V8M32LFF5-10 IT TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 256Mb (8M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)
庫存8,028
MT48V8M32LFF5-10 TR
MT48V8M32LFF5-10 TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 256Mb (8M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)
庫存4,518
MT48V8M32LFF5-8
MT48V8M32LFF5-8

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 256Mb (8M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 125MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)
庫存5,724
MT48V8M32LFF5-8 IT
MT48V8M32LFF5-8 IT

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 256Mb (8M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 125MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)
庫存3,276
MT48V8M32LFF5-8 IT TR
MT48V8M32LFF5-8 IT TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 256Mb (8M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 125MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)
庫存5,652
MT48V8M32LFF5-8 TR
MT48V8M32LFF5-8 TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 256Mb (8M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 125MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)
庫存3,996
MT49H16M16FM-5 TR
MT49H16M16FM-5 TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 144UBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: DRAM
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 144-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)
庫存4,428
MT49H16M18BM-18:B
MT49H16M18BM-18:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: DRAM
  • 內存大小: 288Mb (16M x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 15ns
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 144-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)
庫存6,552
MT49H16M18BM-25:B TR
MT49H16M18BM-25:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: DRAM
  • 內存大小: 288Mb (16M x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 400MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 20ns
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 144-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)
庫存7,848