二極管與整流器

APT15DQ100KG

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1000V
• 電流-平均整流（Io）: 15A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 3V @ 15A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 235ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 100µA @ 1000V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220 [K]
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 175°C

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APT15DQ120BG

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1200V
• 電流-平均整流（Io）: 15A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 3.3V @ 15A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 240ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 100µA @ 1200V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 175°C

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APT15DQ120KG

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1200V
• 電流-平均整流（Io）: 15A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 3.3V @ 15A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 240ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 100µA @ 1200V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-2
• 供應商設備包裝: TO-220 [K]
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 175°C

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APT15DQ60BG

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 600V 15A TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 600V
• 電流-平均整流（Io）: 15A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 2.4V @ 15A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 19ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 25µA @ 600V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 175°C

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APT15DQ60KG

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 600V 15A TO220

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 600V
• 電流-平均整流（Io）: 15A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 2.4V @ 15A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 19ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 25µA @ 600V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-2
• 供應商設備包裝: TO-220 [K]
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 175°C

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APT15S20KG

Microsemi

整流器-單

DIODE SCHOTTKY 200V 25A TO220

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Schottky
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 200V
• 電流-平均整流（Io）: 25A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 830mV @ 15A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 80ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 250µA @ 200V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-2
• 供應商設備包裝: TO-220 [K]
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 150°C

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APT20SCD120B

Microsemi

整流器-單

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 68A

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Silicon Carbide Schottky
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1200V
• 電流-平均整流（Io）: 68A (DC)
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.8V @ 20A
• 速度: No Recovery Time > 500mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 0ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 400µA @ 1200V
• 電容@ Vr，F: 1135pF @ 0V, 1MHz
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 150°C

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APT20SCD120S

Microsemi

整流器-單

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 68A D3PAK

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Silicon Carbide Schottky
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1200V
• 電流-平均整流（Io）: 68A (DC)
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.8V @ 20A
• 速度: No Recovery Time > 500mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 0ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 400µA @ 1200V
• 電容@ Vr，F: 1135pF @ 0V, 1MHz
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• 供應商設備包裝: D3Pak
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 150°C

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APT20SCD65K

Microsemi

整流器-單

DIODE SILICON 650V 32A TO220

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Silicon Carbide Schottky
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 650V
• 電流-平均整流（Io）: 32A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.8V @ 20A
• 速度: No Recovery Time > 500mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 0ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 400µA @ 650V
• 電容@ Vr，F: 680pF @ 100mV, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-2
• 供應商設備包裝: TO-220 [K]
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 150°C

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APT30D100BG

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1000V
• 電流-平均整流（Io）: 30A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 2.3V @ 30A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 290ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 250µA @ 1000V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-2
• 供應商設備包裝: TO-247
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 175°C

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APT30D120BG

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1200V
• 電流-平均整流（Io）: 30A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 2.5V @ 30A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 370ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 250µA @ 1200V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-2
• 供應商設備包裝: TO-247
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 175°C

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APT30D20BG

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 200V 30A TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 200V
• 電流-平均整流（Io）: 30A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.3V @ 30A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 24ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 250µA @ 200V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-2
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 175°C

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APT30D30BG

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 300V 30A TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 300V
• 電流-平均整流（Io）: 30A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.4V @ 30A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 25ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 250µA @ 300V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-2
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 175°C

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APT30D40BG

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 400V 30A TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 400V
• 電流-平均整流（Io）: 30A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.5V @ 30A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 32ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 250µA @ 400V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-2
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 175°C

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APT30D60BG

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 600V
• 電流-平均整流（Io）: 30A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.8V @ 30A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 85ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 250µA @ 600V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-2
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 175°C

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APT30DQ100BG

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1000V
• 電流-平均整流（Io）: 30A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 3V @ 30A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 295ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 100µA @ 1000V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-2
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 175°C

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APT30DQ100KG

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 1KV 30A TO220

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1000V
• 電流-平均整流（Io）: 30A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 3V @ 30A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 295ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 100µA @ 1000V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-2
• 供應商設備包裝: TO-220 [K]
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 175°C

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APT30DQ120BG

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1200V
• 電流-平均整流（Io）: 30A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 3.3V @ 30A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 320ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 100µA @ 1200V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-2
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 175°C

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APT30DQ120KG

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1200V
• 電流-平均整流（Io）: 30A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 3.3V @ 30A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 320ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 100µA @ 1200V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220 [K]
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 175°C

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APT30DQ60BG

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 600V
• 電流-平均整流（Io）: 30A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 2.4V @ 30A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 30ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 25µA @ 600V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-2
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 175°C

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APT30DQ60KG

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 600V 30A TO220

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 600V
• 電流-平均整流（Io）: 30A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 2.4V @ 30A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 30ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 25µA @ 600V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-2
• 供應商設備包裝: TO-220 [K]
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 175°C

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APT30S20BG

Microsemi

整流器-單

DIODE SCHOTTKY 200V 45A TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Schottky
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 200V
• 電流-平均整流（Io）: 45A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 850mV @ 30A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 55ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 500µA @ 200V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-2
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 150°C

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APT30S20SG

Microsemi

整流器-單

DIODE SCHOTTKY 200V 45A D3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Schottky
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 200V
• 電流-平均整流（Io）: 45A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 850mV @ 30A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 55ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 500µA @ 200V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• 供應商設備包裝: D3 [S]
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 150°C

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APT30SCD120B

Microsemi

整流器-單

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 99A

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Silicon Carbide Schottky
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1200V
• 電流-平均整流（Io）: 99A (DC)
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.8V @ 30A
• 速度: No Recovery Time > 500mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 0ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 600µA @ 1200V
• 電容@ Vr，F: 2100pF @ 0V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-2
• 供應商設備包裝: TO-247
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 150°C

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APT30SCD120S

Microsemi

整流器-單

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 99A D3PAK

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Silicon Carbide Schottky
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1200V
• 電流-平均整流（Io）: 99A (DC)
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.8V @ 30A
• 速度: No Recovery Time > 500mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 0ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 600µA @ 1200V
• 電容@ Vr，F: 2100pF @ 0V, 1MHz
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• 供應商設備包裝: D3Pak
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 150°C

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APT30SCD65B

Microsemi

整流器-單

DIODE SIC 650V 46A TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Silicon Carbide Schottky
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 650V
• 電流-平均整流（Io）: 46A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.8V @ 30A
• 速度: No Recovery Time > 500mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 0ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 600µA @ 650V
• 電容@ Vr，F: 945pF @ 1V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-2
• 供應商設備包裝: TO-247
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 150°C

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APT40DQ100BG

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1000V
• 電流-平均整流（Io）: 40A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 3V @ 40A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 250ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 100µA @ 1000V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-2
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 175°C

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APT40DQ120BG

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1200V
• 電流-平均整流（Io）: 40A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 3.3V @ 40A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 350ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 100µA @ 1200V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-2
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 175°C

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APT40DQ60BG

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 600V 40A TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 600V
• 電流-平均整流（Io）: 40A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 2.4V @ 40A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 25ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 25µA @ 600V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-2
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 175°C

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APT60D100BG

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1000V
• 電流-平均整流（Io）: 60A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 2.5V @ 60A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 280ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 250µA @ 1000V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-2
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 175°C

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