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ZXTN2011ZTA

ZXTN2011ZTA

僅供參考

型號 ZXTN2011ZTA
PNEDA編號 ZXTN2011ZTA
描述 TRANS NPN 100V 4.5A SOT89
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,924
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 3 - 五月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXTN2011ZTA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXTN2011ZTA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
ZXTN2011ZTA, ZXTN2011ZTA數據表 (總頁數: 7, 大小: 250.4 KB)
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ZXTN2011ZTA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)4.5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic195mV @ 500mA, 5A
當前-集電極截止(最大值)50nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 2A, 2V
功率-最大2.1W
頻率-過渡130MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝SOT-89-3

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PNP

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160V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 200mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 300mA, 5V

功率-最大

1.2W

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

16A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 16mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 8A, 4V

功率-最大

80W

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

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工作溫度

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