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ZXTN2010ASTZ

ZXTN2010ASTZ

僅供參考

型號 ZXTN2010ASTZ
PNEDA編號 ZXTN2010ASTZ
描述 TRANS NPN 60V 4.5A TO92-3
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 4,194
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 10 - 五月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXTN2010ASTZ資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXTN2010ASTZ
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
ZXTN2010ASTZ, ZXTN2010ASTZ數據表 (總頁數: 6, 大小: 119.72 KB)
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ZXTN2010ASTZ規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)4.5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic210mV @ 200mA, 5A
當前-集電極截止(最大值)500nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 2A, 1V
功率-最大1W
頻率-過渡130MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

400 @ 100µA, 5V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

5µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 20mA, 10V

功率-最大

900mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

125mV @ 6mA, 30mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 10mA, 10V

功率-最大

650mW

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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STMicroelectronics

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晶體管類型

NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

120A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1A, 100A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1200 @ 100A, 5V

功率-最大

175W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

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Chassis Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

700mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 15mA, 150mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 150mA, 10V

功率-最大

5W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

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