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ZXTDC3M832TA

ZXTDC3M832TA

僅供參考

型號 ZXTDC3M832TA
PNEDA編號 ZXTDC3M832TA
描述 TRANS NPN/PNP 50V/40V 4A/3A 8MLP
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,204
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 9 - 五月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXTDC3M832TA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXTDC3M832TA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
ZXTDC3M832TA, ZXTDC3M832TA數據表 (總頁數: 8, 大小: 468.7 KB)
PDFZXTDC3M832TA數據表 封面
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ZXTDC3M832TA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN, PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)4A, 3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V, 40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic320mV @ 200mA, 4A / 370mV @ 250mA, 2.5A
當前-集電極截止(最大值)25nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 2A, 2V / 60 @ 1.5A, 2V
功率-最大1W
頻率-過渡165MHz, 190MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-VDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-MLP (3x2)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOT-363

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Nexperia

制造商

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晶體管類型

2 PNP (Dual) Matched Pair

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 150mA, 2V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

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晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

280mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

170 @ 500mA, 2V

功率-最大

510mW

頻率-過渡

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工作溫度

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制造商

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晶體管類型

NPN, PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 500mA, 2V

功率-最大

2.75W

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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制造商

Nexperia USA Inc.

系列

Automotive, AEC-Q101

晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

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