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ZXTDBM832TA

ZXTDBM832TA

僅供參考

型號 ZXTDBM832TA
PNEDA編號 ZXTDBM832TA
描述 TRANS 2NPN 20V 4.5A 8MLP
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,510
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 24 - 七月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXTDBM832TA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXTDBM832TA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
ZXTDBM832TA, ZXTDBM832TA數據表 (總頁數: 6, 大小: 426.73 KB)
PDFZXTDBM832TA數據表 封面
ZXTDBM832TA數據表 頁面 2 ZXTDBM832TA數據表 頁面 3 ZXTDBM832TA數據表 頁面 4 ZXTDBM832TA數據表 頁面 5 ZXTDBM832TA數據表 頁面 6

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ZXTDBM832TA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)4.5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic270mV @ 125mA, 4.5A
當前-集電極截止(最大值)25nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 2A, 2V
功率-最大1.7W
頻率-過渡140MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-VDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-MLP (3x2)

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 2mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 1A, 4V

功率-最大

4W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

400mW

頻率-過渡

-

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

180MHz, 140MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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