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ZXTD619MCTA

ZXTD619MCTA

僅供參考

型號 ZXTD619MCTA
PNEDA編號 ZXTD619MCTA
描述 TRANS 2NPN 50V 4A 8DFN
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 4,842
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 22 - 七月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXTD619MCTA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXTD619MCTA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
ZXTD619MCTA, ZXTD619MCTA數據表 (總頁數: 7, 大小: 216.74 KB)
PDFZXTD619MCTA數據表 封面
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ZXTD619MCTA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)4A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic320mV @ 200mA, 4A
當前-集電極截止(最大值)100nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce300 @ 200mA, 2V
功率-最大1.7W
頻率-過渡100MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-VDFN Exposed Pad
供應商設備包裝W-DFN3020-8

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

250nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 30mA, 10V

功率-最大

750mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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180mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

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