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ZXTD2M832TA

ZXTD2M832TA

僅供參考

型號 ZXTD2M832TA
PNEDA編號 ZXTD2M832TA
描述 TRANS 2PNP 20V 3.5A 8MLP
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 8,370
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 6 - 五月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXTD2M832TA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXTD2M832TA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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ZXTD2M832TA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型2 PNP (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)3.5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 350mA, 3.5A
當前-集電極截止(最大值)25nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce150 @ 2A, 2V
功率-最大1.7W
頻率-過渡180MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-VDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-MLP (3x2)

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2 PNP (Dual)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

420 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 6V

功率-最大

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150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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15nA (ICBO)

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功率-最大

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