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ZXT849KTC

ZXT849KTC

僅供參考

型號 ZXT849KTC
PNEDA編號 ZXT849KTC
描述 TRANS NPN 30V 7A D-PAK
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 25,746
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 13 - 七月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXT849KTC資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXT849KTC
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
ZXT849KTC, ZXT849KTC數據表 (總頁數: 7, 大小: 247.75 KB)
PDFZXT849KTC數據表 封面
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ZXT849KTC規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)7A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic280mV @ 350mA, 7A
當前-集電極截止(最大值)20nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 1A, 1V
功率-最大4.2W
頻率-過渡100MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝TO-252-3

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當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 200mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

6 @ 1A, 1V

功率-最大

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工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 2mA, 10V

功率-最大

625mW

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工作溫度

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晶體管類型

NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 8mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1mA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 1A, 4V

功率-最大

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25MHz

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

250V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 2A, 5V

功率-最大

2W

頻率-過渡

30MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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