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ZXT10N20DE6TC

ZXT10N20DE6TC

僅供參考

型號 ZXT10N20DE6TC
PNEDA編號 ZXT10N20DE6TC
描述 TRANS NPN 20V 3.5A SOT23-6
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 4,230
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 25 - 六月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXT10N20DE6TC資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXT10N20DE6TC
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
ZXT10N20DE6TC, ZXT10N20DE6TC數據表 (總頁數: 7, 大小: 359.92 KB)
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ZXT10N20DE6TC規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)3.5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 100mA, 3.5A
當前-集電極截止(最大值)100nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 2A, 2V
功率-最大1.1W
頻率-過渡140MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6
供應商設備包裝SOT-23-6

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30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1μA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 1A, 2V

功率-最大

1.25W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-225AA, TO-126-3

供應商設備包裝

TO-126

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

135 @ 100mA, 2V

功率-最大

750mW

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

450mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 1V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 2V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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