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ZXMN6A11DN8TC

ZXMN6A11DN8TC

僅供參考

型號 ZXMN6A11DN8TC
PNEDA編號 ZXMN6A11DN8TC
描述 MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 8,352
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 4 - 五月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXMN6A11DN8TC資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXMN6A11DN8TC
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
ZXMN6A11DN8TC, ZXMN6A11DN8TC數據表 (總頁數: 8, 大小: 649.62 KB)
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ZXMN6A11DN8TC規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs120mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5.7nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds330pF @ 40V
功率-最大1.8W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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制造商

Diodes Incorporated

系列

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FET類型

-

FET功能

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

SOT-363

NTD5C668NLT4G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

FET功能

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta), 48A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.9mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

DPAK (SINGLE GAUGE)

APTMC120AM55CT1AG

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

FET類型

2 N-Channel (Half Bridge)

FET功能

Silicon Carbide (SiC)

漏極至源極電壓(Vdss)

1200V (1.2kV)

電流-25°C時的連續漏極(Id)

55A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

49mOhm @ 40A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 2mA (Typ)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

98nC @ 20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1900pF @ 1000V

功率-最大

250W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP1

供應商設備包裝

SP1

2N7335

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

FET類型

4 P-Channel

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

750mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

14-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

MO-036AB

DMN3055LFDB-7

Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.3nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

458pF @ 15V

功率-最大

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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