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ZVN2106GTA

ZVN2106GTA

僅供參考

型號 ZVN2106GTA
PNEDA編號 ZVN2106GTA
描述 MOSFET N-CH 60V 710MA SOT223
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 168,138
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 12 - 五月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZVN2106GTA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZVN2106GTA
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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ZVN2106GTA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)710mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds75pF @ 18V
FET功能-
功耗(最大值)2W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-223
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A (Tj)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 302µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

52mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

94nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

54W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

36A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

15V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

78mOhm @ 20A, 15V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30.4nC @ 15V

Vgs(最大)

+18V, -8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

660pF @ 600V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

110mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32Ohm @ 125mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Ta)

工作溫度

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Vgs(th)(最大)@ ID

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