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ZTX653

ZTX653

僅供參考

型號 ZTX653
PNEDA編號 ZTX653
描述 TRANS NPN 100V 2A E-LINE
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 27,300
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 4 - 五月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZTX653資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZTX653
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
ZTX653, ZTX653數據表 (總頁數: 3, 大小: 84.93 KB)
PDFZTX653STOB數據表 封面
ZTX653STOB數據表 頁面 2 ZTX653STOB數據表 頁面 3

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ZTX653規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大1W
頻率-過渡175MHz
工作溫度-55°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱E-Line-3
供應商設備包裝E-Line (TO-92 compatible)

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

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120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 400mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

50µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 1A, 5V

功率-最大

3W

頻率-過渡

20MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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ON Semiconductor

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 8mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 1A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-220-3

BSP50

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.3V @ 500µA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 500mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

STMicroelectronics

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

5V @ 750mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

8 @ 2A, 5V

功率-最大

2.8W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

310mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

220 @ 1A, 2V

功率-最大

540mW

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