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W947D6HBHX5E TR

W947D6HBHX5E TR

僅供參考

型號 W947D6HBHX5E TR
PNEDA編號 W947D6HBHX5E-TR
描述 IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA
制造商 Winbond Electronics
單價 請求報價
庫存 6,534
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 10 - 六月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

W947D6HBHX5E TR資源

品牌 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號W947D6HBHX5E TR
類別半導體內存IC內存
數據表
W947D6HBHX5E TR, W947D6HBHX5E TR數據表 (總頁數: 60, 大小: 1,160.44 KB)
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W947D6HBHX5E TR規格

制造商Winbond Electronics
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小128Mb (8M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間5ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-25°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-TFBGA
供應商設備包裝60-VFBGA (8x9)

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內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.2ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

119-PBGA (14x22)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

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電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

100ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

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內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

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時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

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工作溫度

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