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W632GU8NB-12

W632GU8NB-12

僅供參考

型號 W632GU8NB-12
PNEDA編號 W632GU8NB-12
描述 IC SDRAM 2G DDR3 78WBGA
制造商 Winbond Electronics
單價 請求報價
庫存 4,392
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 5 - 五月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

W632GU8NB-12資源

品牌 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號W632GU8NB-12
類別半導體內存IC內存
數據表
W632GU8NB-12, W632GU8NB-12數據表 (總頁數: 162, 大小: 4,061.82 KB)
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W632GU8NB-12規格

制造商Winbond Electronics
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3L
內存大小2Gb (256M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間20ns
電壓-供電1.283V ~ 1.45V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-VFBGA
供應商設備包裝78-VFBGA (8x10.5)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

52MHz

寫周期-字,頁

85ns

訪問時間

85ns

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

88-TFBGA, CSPBGA

供應商設備包裝

88-SCSP (8x11)

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Winbond Electronics

制造商

Winbond Electronics

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Alliance Memory, Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR3L

內存大小

2Gb (256M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

78-VFBGA

供應商設備包裝

78-FBGA (8x10.5)

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR

內存大小

1Gb (32M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.0ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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